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CBR10-J090

产品描述DIODE RECTIFIER 10A 900V CM
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小638KB,共8页
制造商Central Semiconductor
标准
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CBR10-J090概述

DIODE RECTIFIER 10A 900V CM

CBR10-J090规格参数

参数名称属性值
二极管类型单相
技术标准
电压 - 峰值反向(最大值)100V
电流 - 平均整流(Io)5A
不同 If 时的电压 - 正向(Vf1.2V @ 5A
不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流10µA @ 100V
工作温度-65°C ~ 150°C(TJ)
安装类型通孔
封装/外壳4-方形,CM
供应商器件封装CM

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CBR10-J010 SERIES
SILICON BRIDGE RECTIFIERS
10 AMP, 100 THRU 1000 VOLT
w w w. c e n t r a l s e m i . c o m
DESCRIPTION:
The CENTRAL SEMICONDUCTOR CBR10-J010 series
devices are silicon, single phase, full wave bridge
rectifiers designed for general purpose, high current
applications.
MARKING: FULL PART NUMBER
CASE CM
MAXIMUM RATINGS:
(TA=50°C unless otherwise noted)
CBR10
SYMBOL -J010 -J020 -J040 -J060 -J080 -J090 -J100 UNITS
Peak Repetitive Reverse Voltage
VRRM
100
200
400
600
800
900 1000
V
DC Blocking Voltage
VR
100
200
400
600
800
900 1000
V
RMS Reverse Voltage
Average Forward Current (TC=80°C)
Average Forward Current (TC=30°C)
Peak Forward Surge Current
Operating and Storage
Junction Temperature
Thermal Resistance
ELECTRICAL
SYMBOL
IR
VF
VR(RMS)
IO
IO
IFSM
TJ, Tstg
Θ
JC
70
140
280
420
10
5.0
150
-65 to +150
3.0
UNITS
µA
V
560
630
700
V
A
A
A
°C
°C/W
CHARACTERISTICS PER DIODE:
(TA=25°C unless otherwise noted)
TEST CONDITIONS
MIN
MAX
VR=Rated VRRM
10
IF=5.0A
1.2
R3 (12-March 2018)

 
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