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AM99C10A-100DC

产品描述Content Addressable SRAM, 256X48, 65ns, CMOS, CDIP28, 0.400 INCH, CERDIP-28
产品类别存储   
文件大小873KB,共29页
制造商AMD(超微)
官网地址http://www.amd.com
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AM99C10A-100DC概述

Content Addressable SRAM, 256X48, 65ns, CMOS, CDIP28, 0.400 INCH, CERDIP-28

AM99C10A-100DC规格参数

参数名称属性值
厂商名称AMD(超微)
零件包装代码DIP
包装说明DIP,
针数28
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
Is SamacsysN
最长访问时间65 ns
其他特性LANCAM; BIT/WORD MASKING; MATCH OUTPUT; OPTEMP SPECIFIED AS TC
JESD-30 代码R-GDIP-T28
长度37.1475 mm
内存密度12288 bit
内存集成电路类型CONTENT ADDRESSABLE SRAM
内存宽度48
功能数量1
端口数量1
端子数量28
字数256 words
字数代码256
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织256X48
输出特性3-STATE
可输出YES
封装主体材料CERAMIC, GLASS-SEALED
封装代码DIP
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
并行/串行PARALLEL
认证状态Not Qualified
座面最大高度5.588 mm
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)4.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子形式THROUGH-HOLE
端子节距2.54 mm
端子位置DUAL
宽度10.16 mm
Base Number Matches1

AM99C10A-100DC相似产品对比

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描述 Content Addressable SRAM, 256X48, 65ns, CMOS, CDIP28, 0.400 INCH, CERDIP-28 Content Addressable SRAM, 256X48, 45ns, CMOS, PQCC32, PLASTIC, LCC-32 Content Addressable SRAM, 256X48, 45ns, CMOS, PDIP28, 0.300 INCH, PLASTIC, DIP-28 Content Addressable SRAM, 256X48, 45ns, CMOS, CDIP28, 0.400 INCH, CERDIP-28 Content Addressable SRAM, 256X48, 65ns, CMOS, PQCC32, PLASTIC, LCC-32 Content Addressable SRAM, 256X48, 65ns, CMOS, PDIP28, 0.300 INCH, PLASTIC, DIP-28
厂商名称 AMD(超微) AMD(超微) AMD(超微) AMD(超微) AMD(超微) AMD(超微)
零件包装代码 DIP QFJ DIP DIP QFJ DIP
包装说明 DIP, QCCJ, DIP, DIP, QCCJ, DIP,
针数 28 32 28 28 32 28
Reach Compliance Code unknown unknown unknown unknown unknown unknown
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
Is Samacsys N N N N N N
最长访问时间 65 ns 45 ns 45 ns 45 ns 65 ns 65 ns
其他特性 LANCAM; BIT/WORD MASKING; MATCH OUTPUT; OPTEMP SPECIFIED AS TC LANCAM; BIT/WORD MASKING; MATCH OUTPUT; OPTEMP SPECIFIED AS TC LANCAM; BIT/WORD MASKING; MATCH OUTPUT; OPTEMP SPECIFIED AS TC LANCAM; BIT/WORD MASKING; MATCH OUTPUT; OPTEMP SPECIFIED AS TC LANCAM; BIT/WORD MASKING; MATCH OUTPUT; OPTEMP SPECIFIED AS TC LANCAM; BIT/WORD MASKING; MATCH OUTPUT; OPTEMP SPECIFIED AS TC
JESD-30 代码 R-GDIP-T28 R-PQCC-J32 R-PDIP-T28 R-GDIP-T28 R-PQCC-J32 R-PDIP-T28
长度 37.1475 mm 13.97 mm 35.2425 mm 37.1475 mm 13.97 mm 35.2425 mm
内存密度 12288 bit 12288 bit 12288 bit 12288 bit 12288 bit 12288 bit
内存集成电路类型 CONTENT ADDRESSABLE SRAM CONTENT ADDRESSABLE SRAM CONTENT ADDRESSABLE SRAM CONTENT ADDRESSABLE SRAM CONTENT ADDRESSABLE SRAM CONTENT ADDRESSABLE SRAM
内存宽度 48 48 48 48 48 48
功能数量 1 1 1 1 1 1
端口数量 1 1 1 1 1 1
端子数量 28 32 28 28 32 28
字数 256 words 256 words 256 words 256 words 256 words 256 words
字数代码 256 256 256 256 256 256
工作模式 ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS
最高工作温度 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C
组织 256X48 256X48 256X48 256X48 256X48 256X48
输出特性 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE
可输出 YES YES YES YES YES YES
封装主体材料 CERAMIC, GLASS-SEALED PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY CERAMIC, GLASS-SEALED PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 DIP QCCJ DIP DIP QCCJ DIP
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 IN-LINE CHIP CARRIER IN-LINE IN-LINE CHIP CARRIER IN-LINE
并行/串行 PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
座面最大高度 5.588 mm 3.55 mm 5.08 mm 5.588 mm 3.55 mm 5.08 mm
最大供电电压 (Vsup) 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V
最小供电电压 (Vsup) 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V
标称供电电压 (Vsup) 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V
表面贴装 NO YES NO NO YES NO
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS
温度等级 COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL
端子形式 THROUGH-HOLE J BEND THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE J BEND THROUGH-HOLE
端子节距 2.54 mm 1.27 mm 2.54 mm 2.54 mm 1.27 mm 2.54 mm
端子位置 DUAL QUAD DUAL DUAL QUAD DUAL
宽度 10.16 mm 11.43 mm 7.62 mm 10.16 mm 11.43 mm 7.62 mm
Base Number Matches 1 1 1 1 1 1

 
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