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MJD127-TP

产品描述TRANS PNP 100V 8A DPAK
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小247KB,共3页
制造商Micro_Commercial_Co
标准
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MJD127-TP在线购买

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MJD127-TP概述

TRANS PNP 100V 8A DPAK

MJD127-TP规格参数

参数名称属性值
晶体管类型PNP
电流 - 集电极(Ic)(最大值)8A
电压 - 集射极击穿(最大值)100V
不同 Ib,Ic 时的 Vce 饱和值(最大值)4V @ 80mA,8A
电流 - 集电极截止(最大值)10nA(ICBO)
不同 Ic,Vce 时的 DC 电流增益(hFE)(最小值)1000 @ 4A,4V
功率 - 最大值1.5W
工作温度150°C(TJ)
安装类型表面贴装
封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
供应商器件封装D-Pak

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MCC
Micro Commercial Components
TM
  omponents
20736 Marilla
Street Chatsworth

  !"#
$ %    !"#
MJD127
Features
Lead Free Finish/RoHS Compliant ("P" Suffix designates
RoHS Compliant. See ordering information)
Case Material:Molded Plastic. UL Flammability
Classification Rating 94V-0 and MSL Rating 1
High DC Current Gain
Electrically similar to popular TIP 127
Built-in a damper diode at E-C
o
Maximum Thermal Resistance:
83.3
C/W Junction to
Ambient
Silicon
PNP epitaxial planer
Transistors
Maximum Ratings @ 25
O
C Unless Otherwise Specified
Symbol
V
CEO
V
CBO
V
EBO
I
C
P
C
T
J
T
STG
Rating
Collector-Emitter Voltage
Collector-Base Voltage
Emitter-Base Voltage
Collector Current-Continuous
Collector Dissipation
Operating Junction Temperature
Storage Temperature
O
Rating
-100
-100
-5
-8
1.5
150
-55 to +150
Unit
V
V
V
A
W
DPACK
S
A
1
G
2
3
D
B F
V
Electrical Characteristics @ 25 C Unless Otherwise Specified
Symbol
V
(BR)CEO
V
(BR)CBO
V
(BR)EBO
I
CBO
I
CEX
I
EBO
h
FE
Parameter
Collector-Emitter Breakdown Voltage
(I
C
=-30mAdc, I
B
=0)
Collector-Base Breakdown Voltage
(I
C
=-1mAdc, I
E
=0)
Collector-Emitter Breakdown Voltage
(I
E
=-1mAdc, I
C
=0)
Collector Cutoff Current
(V
CB
=-100Vdc, I
E
=0)
Collector emitter cutoff Current
(V
CB
=-100Vdc, V
BE(off)
=1.5V)
Emitter Cutoff Current
(V
EB
=-5Vdc, I
C
=0)
DC Current Gain
(I
C
=-4Adc, V
CE
=-4Vdc)
(I
C
=-8Adc, V
CE
=-4Vdc)
V
CE(sat)
Collector-Emitter Saturation Voltage
(I
C
=-4Adc, I
B
=-16mAdc) (note 1)
(I
C
=-8Adc, I
B
=-80mAdc)(note 1)
V
BE(sat)
V
BE
C
ob
Base-Emitter Saturation Voltage
(I
C
=-8Adc, I
B
=-80mAdc) (note 1)
Base-Emitter Saturation Voltage
(I
C
=-4Adc, V
CE
=-4Vdc ) (note 1)
Output Capacitance
(V
CB
=-10Vdc, f=0.1MHz, I
E
=0)
Min
-100
-100
-5
---
---
---
1000
100
---
---
---
---
---
----
----
----
----
---
-2
-4
-4.5
-2.8
300
Vdc
Vdc
Vdc
Vdc
pF
Typ
---
---
---
---
---
---
---
Max
---
---
---
-10
-10
-2
12000
DIM
A
B
C
D
E
F
G
J
K
S
V
Units
Vdc
Vdc
Vdc
nAdc
nAdc
nAdc
DIMENSIONS
INCHES
MIN
0.235
0.205
0.086
0.025
0.035
0.250
0.090
0.018
0.020
0.370
0.035
0.023
---
0.410
0.050
0.48
0.51
9.40
0.88
MAX
0.245
0.215
0.094
0.035
0.045
0.265
MIN
5.97
5.21
2.19
0.64
0.99
6.35
2.28
0.58
---
10.42
1.27
MM
MAX
6.22
5.46
2.38
0.89
1.14
6.73
NOTE
C
J
E
K
PIN 1.
PIN 2.
PIN 3.
BASE
COLLECTOR
EMITTER
Note:
_
_
1.Pulse
Test: Pulse Width<380µs, Duty Cycle<2%
www.mccsemi.com
Revision:
2
1 of 3
2010/11/03
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