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CMSD7000 TR

产品描述DIODE ARRAY GP 100V 200MA SOT323
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小538KB,共3页
制造商Central Semiconductor
标准
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CMSD7000 TR概述

DIODE ARRAY GP 100V 200MA SOT323

CMSD7000 TR规格参数

参数名称属性值
二极管配置1 对串联
二极管类型标准
电压 - DC 反向(Vr)(最大值)100V
电流 - 平均整流(Io)(每二极管)200mA
不同 If 时的电压 - 正向(Vf1.1V @ 100mA
速度小信号 =< 200mA(Io),任意速度
反向恢复时间(trr)4ns
不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流300nA @ 50V
工作温度 - 结-65°C ~ 150°C
安装类型表面贴装
封装/外壳SC-70,SOT-323
供应商器件封装SOT-323

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CMSD7000
SURFACE MOUNT
DUAL, IN SERIES
SILICON SWITCHING DIODES
w w w. c e n t r a l s e m i . c o m
DESCRIPTION:
The CENTRAL SEMICONDUCTOR CMSD7000
type is a ultra-high speed silicon switching diodes
manufactured by the epitaxial planar process, in an
epoxy molded super-mini surface mount package,
connected in a series configuration, designed for high
speed switching applications.
MARKING CODE: 5CC
SOT-323 CASE
MAXIMUM RATINGS:
(TA =25°C)
Peak Repetitive Reverse Voltage
Average Forward Current
Peak Forward Current, tp=1.0s
Power Dissipation
Operating and Storage Junction Temperature
Thermal Resistance
SYMBOL
VRRM
IO
IFM
PD
TJ, Tstg
Θ
JA
100
200
500
275
-65 to +150
455
UNITS
V
mA
mA
mW
°C
°C/W
ELECTRICAL CHARACTERISTICS PER DIODE:
(TA =25°C unless otherwise noted)
SYMBOL
TEST CONDITIONS
MIN
TYP
MAX
IR
IR
IR
BVR
VF
VF
VF
CT
trr
VR=50V
VR=50V, TA=125°C
VR=100V
IR=100μA
IF=1.0mA
IF=10mA
IF=100mA
VR=0, f=1.0MHz
IR=IF=10mA, Irr=1.0mA, RL=100Ω
100
0.55
0.67
0.75
1.5
2.0
0.70
0.82
1.10
2.6
4.0
300
100
500
UNITS
nA
μA
nA
V
V
V
V
pF
ns
R4 (8-February 2010)

 
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