MOSFET 2N-CH 20V 0.8A SOT666
参数名称 | 属性值 |
Brand Name | Nexperia |
厂商名称 | Nexperia |
零件包装代码 | SOT |
包装说明 | SMALL OUTLINE, R-PDSO-F6 |
针数 | 6 |
制造商包装代码 | SOT666 |
Reach Compliance Code | compliant |
Factory Lead Time | 4 weeks |
Samacsys Description | Dual N-Channel MOSFET, 800 mA, 20 V, 6-Pin SOT-666 Nexperia PMDT290UNE,115 |
配置 | SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压 | 20 V |
最大漏极电流 (ID) | 0.8 A |
最大漏源导通电阻 | 0.38 Ω |
FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JESD-30 代码 | R-PDSO-F6 |
JESD-609代码 | e3 |
湿度敏感等级 | 1 |
元件数量 | 2 |
端子数量 | 6 |
工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | SMALL OUTLINE |
极性/信道类型 | N-CHANNEL |
表面贴装 | YES |
端子面层 | Tin (Sn) |
端子形式 | FLAT |
端子位置 | DUAL |
晶体管应用 | SWITCHING |
晶体管元件材料 | SILICON |
PMDT290UNE,115 | PMDT290UNEYL | |
---|---|---|
描述 | MOSFET 2N-CH 20V 0.8A SOT666 | PMDT290UNE/SOT666/SOT6 |
Brand Name | Nexperia | Nexperia |
厂商名称 | Nexperia | Nexperia |
零件包装代码 | SOT | SOT |
包装说明 | SMALL OUTLINE, R-PDSO-F6 | SMALL OUTLINE, R-PDSO-F6 |
针数 | 6 | 6 |
制造商包装代码 | SOT666 | SOT666 |
Reach Compliance Code | compliant | compliant |
配置 | SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE | SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压 | 20 V | 20 V |
最大漏极电流 (ID) | 0.8 A | 0.8 A |
最大漏源导通电阻 | 0.38 Ω | 0.38 Ω |
FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JESD-30 代码 | R-PDSO-F6 | R-PDSO-F6 |
湿度敏感等级 | 1 | 1 |
元件数量 | 2 | 2 |
端子数量 | 6 | 6 |
工作模式 | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
封装形式 | SMALL OUTLINE | SMALL OUTLINE |
极性/信道类型 | N-CHANNEL | N-CHANNEL |
表面贴装 | YES | YES |
端子形式 | FLAT | FLAT |
端子位置 | DUAL | DUAL |
晶体管应用 | SWITCHING | SWITCHING |
晶体管元件材料 | SILICON | SILICON |
电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved