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PMDT290UNE,115

产品描述MOSFET 2N-CH 20V 0.8A SOT666
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小722KB,共16页
制造商Nexperia
官网地址https://www.nexperia.com
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PMDT290UNE,115概述

MOSFET 2N-CH 20V 0.8A SOT666

PMDT290UNE,115规格参数

参数名称属性值
Brand NameNexperia
厂商名称Nexperia
零件包装代码SOT
包装说明SMALL OUTLINE, R-PDSO-F6
针数6
制造商包装代码SOT666
Reach Compliance Codecompliant
Factory Lead Time4 weeks
Samacsys DescriptionDual N-Channel MOSFET, 800 mA, 20 V, 6-Pin SOT-666 Nexperia PMDT290UNE,115
配置SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压20 V
最大漏极电流 (ID)0.8 A
最大漏源导通电阻0.38 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码R-PDSO-F6
JESD-609代码e3
湿度敏感等级1
元件数量2
端子数量6
工作模式ENHANCEMENT MODE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
极性/信道类型N-CHANNEL
表面贴装YES
端子面层Tin (Sn)
端子形式FLAT
端子位置DUAL
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON

PMDT290UNE,115相似产品对比

PMDT290UNE,115 PMDT290UNEYL
描述 MOSFET 2N-CH 20V 0.8A SOT666 PMDT290UNE/SOT666/SOT6
Brand Name Nexperia Nexperia
厂商名称 Nexperia Nexperia
零件包装代码 SOT SOT
包装说明 SMALL OUTLINE, R-PDSO-F6 SMALL OUTLINE, R-PDSO-F6
针数 6 6
制造商包装代码 SOT666 SOT666
Reach Compliance Code compliant compliant
配置 SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压 20 V 20 V
最大漏极电流 (ID) 0.8 A 0.8 A
最大漏源导通电阻 0.38 Ω 0.38 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码 R-PDSO-F6 R-PDSO-F6
湿度敏感等级 1 1
元件数量 2 2
端子数量 6 6
工作模式 ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL
表面贴装 YES YES
端子形式 FLAT FLAT
端子位置 DUAL DUAL
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON

 
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