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CMHD4150 TR

产品描述DIODE GEN PURP 50V 250MA SOD123
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小512KB,共4页
制造商Central Semiconductor
标准
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CMHD4150 TR概述

DIODE GEN PURP 50V 250MA SOD123

CMHD4150 TR规格参数

参数名称属性值
二极管类型标准
电压 - DC 反向(Vr)(最大值)50V
电流 - 平均整流(Io)250mA
不同 If 时的电压 - 正向(Vf1V @ 200mA
速度快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io)
反向恢复时间(trr)4ns
不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流100nA @ 50V
不同 Vr,F 时的电容4pF @ 0V,1MHz
安装类型表面贴装
封装/外壳SOD-123
供应商器件封装SOD-123
工作温度 - 结-65°C ~ 150°C

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CMHD4150
SURFACE MOUNT
HIGH SPEED SILICON
SWITCHING DIODE
w w w. c e n t r a l s e m i . c o m
DESCRIPTION:
The CENTRAL SEMICONDUCTOR CMHD4150 type
is a high speed silicon switching diode manufactured
by the epitaxial planar process, in an epoxy molded
surface mount package, designed for high speed
switching applications.
MARKING CODE: C50
SOD-123 CASE
MAXIMUM RATINGS:
(TA=25°C)
Continuous Reverse Voltage
Peak Repetitive Reverse Voltage
Continuous Forward Current
Peak Repetitive Forward Current
Peak Forward Surge Current, tp=1.0μs
Peak Forward Surge Current, tp=1.0s
Power Dissipation
Operating and Storage Junction Temperature
Thermal Resistance
SYMBOL
VR
VRRM
IF
IFRM
IFSM
IFSM
PD
TJ, Tstg
Θ
JA
50
50
250
250
4.0
1.0
400
-65 to +150
312.5
UNITS
V
V
mA
mA
A
A
mW
°C
°C/W
ELECTRICAL CHARACTERISTICS:
(TA=25°C unless otherwise noted)
SYMBOL
TEST CONDITIONS
MIN
IR
VF
VF
VF
VF
VF
CT
trr
VR=50V
IF=1.0mA
IF=10mA
IF=50mA
IF=100mA
IF=200mA
VR=0, f=1.0MHz
IR=IF=10mA, RL=100Ω, Rec. to 1.0mA
0.54
0.66
0.76
0.82
0.87
MAX
100
0.62
0.74
0.86
0.92
1.0
4.0
4.0
UNITS
nA
V
V
V
V
V
pF
ns
R3 (5-August 2010)

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