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RE1L002SNTL

产品描述MOSFET N-CH 60V 250MA EMT3F
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小287KB,共5页
制造商ROHM(罗姆半导体)
官网地址https://www.rohm.com/
标准
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RE1L002SNTL概述

MOSFET N-CH 60V 250MA EMT3F

RE1L002SNTL规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称ROHM(罗姆半导体)
包装说明SMALL OUTLINE, R-PDSO-F3
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
Factory Lead Time16 weeks
Samacsys DescriptionMOSFET 2.5V Drive Nch Si MOSFET
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压60 V
最大漏极电流 (ID)0.25 A
最大漏源导通电阻3.2 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码R-PDSO-F3
湿度敏感等级1
元件数量1
端子数量3
工作模式ENHANCEMENT MODE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)260
极性/信道类型N-CHANNEL
表面贴装YES
端子形式FLAT
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间10
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON

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Tape and Packing
Product
Transistor / MOSFET
Package SOT-416 (EMT3)
Type TL
1. Components description (Only for reference)
1.6
(3)
0.7
1.6
0.8
(2)
0.2
(1)
0.15
Unit
mm
2. Taping dimensions
1.75±0.1
3.5±0.05
Φ1.5
+0.1
-0
2.0±0.05
4.0±0.1
0.3±0.1
1.8±0.08
5.5±0.2
Φ0.5±0.1
1.8±0.08
0½0.5
8.0±0.2
4.0±0.1
0.9±0.2
Unit : mm
Note) Feed holes might be cover with the adhesive tape, but nothing will affect for using by that.
3. Tape and packing specification
3-1. Direction of tape winding
Connection (3) comes to feeding hole side. The direction shall be one in a reel.
3-2. Cumulative pitch tolerance
The cumulative pitch tolerance of the mold for producing the carrier tape shall be within ±0.2mm
per 10pitches.
3-3. The minimum radius to bend the carrier tape
Carrier tape shall be flexible enough to protect from no component and damage under a minimum
radius of 30mm. However it shall be defined only inside of carrier tape.
3-4. The material of carrier tape
Special carbon paints are coated both sides of polystyrene.
3-5. Failure Rate
Incidence
Continuous missing
Discontinuous missing
0%
Max.0.1%/reel
Remark
 Except
leader and trail portion
www.rohm.com
©2016 ROHM Co., Ltd. All rights reserved
1/4
2016.1 - Rev.A

RE1L002SNTL相似产品对比

RE1L002SNTL RE1C002ZPTL
描述 MOSFET N-CH 60V 250MA EMT3F MOSFET P-CH 20V 200MA EMT3F
是否Rohs认证 符合 符合
厂商名称 ROHM(罗姆半导体) ROHM(罗姆半导体)
包装说明 SMALL OUTLINE, R-PDSO-F3 SMALL OUTLINE, R-PDSO-F3
Reach Compliance Code compliant compliant
ECCN代码 EAR99 EAR99
Samacsys Description MOSFET 2.5V Drive Nch Si MOSFET MOSFET 1.2V Drive Pch Si MOSFET
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压 60 V 20 V
最大漏极电流 (ID) 0.25 A 0.2 A
最大漏源导通电阻 3.2 Ω 1.2 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码 R-PDSO-F3 R-PDSO-F3
湿度敏感等级 1 1
元件数量 1 1
端子数量 3 3
工作模式 ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度) 260 260
极性/信道类型 N-CHANNEL P-CHANNEL
表面贴装 YES YES
端子形式 FLAT FLAT
端子位置 DUAL DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 10 10
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