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HDBL106G C1G

产品描述BRIDGE RECT 1PHASE 800V 1A DBL
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小365KB,共4页
制造商Taiwan Semiconductor
官网地址http://www.taiwansemi.com/
标准
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HDBL106G C1G概述

BRIDGE RECT 1PHASE 800V 1A DBL

HDBL106G C1G规格参数

参数名称属性值
二极管类型单相
技术标准
电压 - 峰值反向(最大值)800V
电流 - 平均整流(Io)1A
不同 If 时的电压 - 正向(Vf1.7V @ 1A
不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流5µA @ 800V
工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型通孔
封装/外壳4-DIP(0.300",7.62mm)
供应商器件封装DBL

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HDBL101G - HDBL107G
Taiwan Semiconductor
CREAT BY ART
1A, 50V - 1000V Glass Passivated High Efficient Bridge Rectifiers
FEATURES
- Glass passivated junction
- Ideal for printed circuit board
- Reliable low cost construction utilizing molded plastic technique
- High surge current capability
- UL Recognized File # E-326854
- Compliant to RoHS Directive 2011/65/EU and
in accordance to WEEE 2002/96/EC
- Halogen-free according to IEC 61249-2-21
DBL
MECHANICAL DATA
Case:
Molded plastic body
Molding compound, UL flammability classification rating 94V-0
Part no. with suffix "H" means AEC-Q101 qualified
Packing code with suffix "G" means green compound (halogen-free)
Terminal:
Matte tin plated leads, solderable per JESD22-B102
Meet JESD 201 class 2 whisker test
Polarity:
Polarity as marked on the body
Weight:
0.36 g (approximately)
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
A
=25°C unless otherwise noted)
PARAMETER
Maximum repetitive peak reverse voltage
Maximum RMS voltage
Maximum DC blocking voltage
Maximum average forward rectified current
Peak forward surge current, 8.3 ms single half sine-wave
superimposed on rated load
Rating for fusing (t<8.3ms)
Maximum instantaneous forward voltage (Note 1)
I
F
= 1 A
Maximum reverse current @ rated V
R
Maximum reverse recovery time (Note 2)
Typical thermal resistance
Operating junction temperature range
Storage temperature range
Note 1: Pulse Test with PW=300μs,1% Duty Cycle
Notes 2: Reverse Recovery Test Conditions: I
F
=0.5A, I
R
=1.0A, I
RR
=0.25A
T
J
=25°C
T
J
=125°C
SYMBOL
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
F(AV)
I
FSM
I
2
t
V
F
I
R
t
rr
R
θJL
R
θJA
T
J
T
STG
50
15
40
- 55 to + 150
- 55 to + 150
1.0
HDBL
101G
50
35
50
HDBL
102G
100
70
100
HDBL
103G
200
140
200
HDBL
104G
400
280
400
1
50
10.3
1.3
5
500
75
1.7
HDBL
105G
600
420
600
HDBL
106G
800
560
800
HDBL
107G
1000
700
1000
UNIT
V
V
V
A
A
A
2
s
V
μA
ns
°C/W
°C
°C
Document Number: DS_D1311010
Version: F15

HDBL106G C1G相似产品对比

HDBL106G C1G HDBL102G C1G HDBL103G C1G HDBL104G C1G HDBL105G C1G HDBL107G C1G HDBL105GHC1G
描述 BRIDGE RECT 1PHASE 800V 1A DBL BRIDGE RECT 1PHASE 100V 1A DBL BRIDGE RECT 1PHASE 200V 1A DBL BRIDGE RECT 1PHASE 400V 1A DBL BRIDGE RECT 1PHASE 600V 1A DBL BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 1A DBL Bridge Rectifier Diode,
二极管类型 单相 单相 单相 单相 单相 单相 BRIDGE RECTIFIER DIODE
技术 标准 标准 标准 标准 标准 标准 -
电压 - 峰值反向(最大值) 800V 100V 200V 400V 600V 1kV -
电流 - 平均整流(Io) 1A 1A 1A 1A 1A 1A -
不同 If 时的电压 - 正向(Vf 1.7V @ 1A 1V @ 1A 1V @ 1A 1.3V @ 1A 1.7V @ 1A 1.7V @ 1A -
不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流 5µA @ 800V 5µA @ 100V 5µA @ 200V 5µA @ 400V 5µA @ 600V 5µA @ 1000V -
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ) -55°C ~ 150°C(TJ) -55°C ~ 150°C(TJ) -55°C ~ 150°C(TJ) -55°C ~ 150°C(TJ) -55°C ~ 150°C(TJ) -
安装类型 通孔 通孔 通孔 通孔 通孔 通孔 -
封装/外壳 4-DIP(0.300",7.62mm) 4-DIP(0.300",7.62mm) 4-DIP(0.300",7.62mm) 4-DIP(0.300",7.62mm) 4-DIP(0.300",7.62mm) 4-DIP(0.300",7.62mm) -
供应商器件封装 DBL DBL DBL DBL DBL DBL -

 
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