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1N5248BTR

产品描述DIODE ZENER 18V 500MW DO35
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小310KB,共5页
制造商ON Semiconductor(安森美)
官网地址http://www.onsemi.cn
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1N5248BTR概述

DIODE ZENER 18V 500MW DO35

1N5248BTR规格参数

参数名称属性值
Brand NameON Semiconductor
是否无铅不含铅
厂商名称ON Semiconductor(安森美)
包装说明O-LALF-W2
制造商包装代码017AG
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
Factory Lead Time1 week
Is SamacsysN
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型ZENER DIODE
最大动态阻抗21 Ω
JEDEC-95代码DO-35
JESD-30 代码O-LALF-W2
JESD-609代码e3
元件数量1
端子数量2
最高工作温度200 °C
封装主体材料GLASS
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散0.5 W
认证状态Not Qualified
标称参考电压18 V
表面贴装NO
技术ZENER
端子面层Tin (Sn)
端子形式WIRE
端子位置AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
最大电压容差5%
工作测试电流7 mA
Base Number Matches1

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1N5221B - 1N5263B — Zener Diodes
1N5221B - 1N5263B
Zener Diodes
Tolerance = 5%
DO-35 Glass case
COLOR BAND DENOTES CATHODE
Absolute Maximum Ratings
Stresses exceeding the absolute maximum ratings may damage the device. The device may not function or be opera-
ble above the recommended operating conditions and stressing the parts to these levels is not recommended. In addi-
tion, extended exposure to stresses above the recommended operating conditions may affect device reliability. The
absolute maximum ratings are stress ratings only. Values are at T
A
= 25°C unless otherwise noted.
Symbol
P
D
T
STG
T
J
Power Dissipation
Derate above 50°C
Parameter
Value
500
4.0
-65 to +200
-65 to +200
+230
Unit
mW
mW°C
°C
°C
°C
Storage Temperature Range
Operating Junction Temperature Range
Lead Temperature (1/16 inch from case for 10 s)
Note:
1. These ratings are limiting values above which the serviceability of any semiconductor device may be impaired.
Non-recurrent square wave Pulse Width = 8.3 ms, T
A
= 50°C
© 2007
Semiconductor Components Industries, LLC.
November-2017,Rev. 5
Publication Order Number:
1N5263B/D
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