电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索

1N4148-TP

产品描述DIODE GEN PURP 75V 150MA DO35
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小194KB,共4页
制造商Micro_Commercial_Co
标准
下载文档 详细参数 选型对比 全文预览

1N4148-TP在线购买

供应商 器件名称 价格 最低购买 库存  
1N4148-TP - - 点击查看 点击购买

1N4148-TP概述

DIODE GEN PURP 75V 150MA DO35

1N4148-TP规格参数

参数名称属性值
二极管类型标准
电压 - DC 反向(Vr)(最大值)75V
电流 - 平均整流(Io)150mA
不同 If 时的电压 - 正向(Vf1V @ 10mA
速度小信号 =< 200mA(Io),任意速度
反向恢复时间(trr)4ns
不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流5µA @ 75V
不同 Vr,F 时的电容4pF @ 0V,1MHz
安装类型通孔
封装/外壳DO-204AH,DO-35,轴向
供应商器件封装DO-35
工作温度 - 结-65°C ~ 175°C

文档预览

下载PDF文档
NOT RECOMMENDED FOR NEW DESIGNS
MCC
TM
Micro Commercial Components
  omponents
20736 Marilla Street Chatsworth

  !"#
$ %    !"#
1N4148
Features
High Reliability
Low Current Leakage
Metalurgically Bonded Construction
Moisture Sensitivity Level 1
Marking : Cathode band and type number
Lead Free Finish/Rohs Compliant (Note1) ("P"Suffix designates
Compliant. See ordering information)
500mW High Speed
Switching Diode
100 Volt
DO-35
Maximum Ratings
Operating Temperature: -65 to +175
Storage Temperature: -65 to +175
Maximum Thermal Resistance: 300K/W Junction To Ambient
Electrical Characteristics @ 25
Reverse Voltage
Breakdown Voltage
Average Forward
Current
Power Dissipation
Junction
Temperature
Peak Forward Surge
Current
Maximum
Instantaneous
Forward Voltage
Maximum DC
Reverse Current At
Rated DC Blocking
Voltage
Maximum Junction
Capacitance
Maximum Reverse
Recovery Time
V
R
V
BR
I
O
P
TOT
T
J
Unless Otherwise Specified
75V
100V
150mA
500mW
175
B
D
A
Cathode
Mark
I
R
=100 A
D
I
FSM
2.0A
t
p
= 1.0
s
V
F
1.0V
I
FM
= 10mA
C
I
R
25nA
5.0µA
50µA
4.0pF
V
R
=20V; T
J
= 25
V
R
=75V; T
J
= 25
V
R
=20V; T
J
=150
Measured at
1.0MHz, V
R
=0V
I
F
=10mA; V
R
= 6V
R
L
=100Ω
DIM
A
B
C
D
INCHES
MIN
---
---
---
1.000
DIMENSIONS
MM
MIN
---
---
---
25.40
C
J
MAX
.166
.079
.020
---
MAX
4.2
2.00
.52
---
NOTE
T
rr
4.0ns
*Pulse test: Pulse width 300
µsec,
Duty cycle 2%
Note:
1. Lead in Glass Exemption Applied, see EU Directive Annex 7(C)-I.
Revision:
C
www.mccsemi.com
1 of 4
2013/02/18

1N4148-TP相似产品对比

1N4148-TP 1N4148
描述 DIODE GEN PURP 75V 150MA DO35 DIODE GEN PURP 75V 150MA DO35
二极管类型 标准 标准
电压 - DC 反向(Vr)(最大值) 75V 75V
电流 - 平均整流(Io) 150mA 150mA
不同 If 时的电压 - 正向(Vf 1V @ 10mA 1V @ 10mA
速度 小信号 =< 200mA(Io),任意速度 小信号 =< 200mA(Io),任意速度
反向恢复时间(trr) 4ns 4ns
不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流 5µA @ 75V 5µA @ 75V
安装类型 通孔 通孔
封装/外壳 DO-204AH,DO-35,轴向 DO-204AH,DO-35,轴向
供应商器件封装 DO-35 DO-35
工作温度 - 结 -65°C ~ 175°C -65°C ~ 175°C
裸奔版2.0声道,1.0音箱!
舍友弄个百十元的2.1有源音响,放歌气我:call: ,看我的垃圾版裸奔型2.0声道,1.0音箱!功率放大IC使用TDA2009:2X10W,两声道,无调音前级,全是平日积攒的"垃圾“,正好用在宿舍也不心疼!把 ......
DIAG 聊聊、笑笑、闹闹
对突然来电的防护
在停电作业现场所发生的触电伤亡事故中,大多数是由于停电工作设备出现了突然来电或误登误触有电设备造成的。而停电工作设备出现突然来电的危害性尤为严重,如未采取可靠的防护措施,往往造成工 ......
逍遥 工业自动化与控制
关于封装的一点问题:SOT223封装的芯片外壳是什么材料呢?
想选型一款电源芯片,能耐受高压的,但是由于小弟不是很懂硬件,一直查不到那种封装能够耐受高压。所以想问问坛子里的前辈们,各种封装的工作温度和耐压(气压)能力~:congratulate: ...
freedom_lq 模拟电子
vxworks 6.6 core 2 945gme问题
我从网上看到的资料中学会了如何把在VMware上运行起. 但我把同样的东东到core 2CPU, 945GME上就只能出现++++++++++++++++++++++ 我了解到IA-32(X86)的CPU都有向前相容性,这个++++++++++++表示 ......
qushaobo 实时操作系统RTOS
有源蜂鸣器不响
各位大神,电路图如图,我给P32高电平,有源蜂鸣器不响,摔一下就响了(无虚焊),响了之后,卿卿堵住中间圆孔又不响了,求助。 ...
Apphia 51单片机
高频放大器设计与制作
高频放大器设计与制作 2-1 高频信号放大器所应具备的特征 放大电路可以说是模拟信号处理电路的基本单元,尤其对高频接收机与发射机而言。在接收机里,放大电路要将从天线所输入的μ ......
fighting 模拟电子

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

 
机器人开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程 索引文件: 1597  1678  2796  128  585  35  29  2  14  7 

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2026 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved