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ES3DB M4G

产品描述DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AA
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小278KB,共8页
制造商Taiwan Semiconductor
官网地址http://www.taiwansemi.com/
标准
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ES3DB M4G概述

DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AA

ES3DB M4G规格参数

参数名称属性值
二极管类型标准
电压 - DC 反向(Vr)(最大值)200V
电流 - 平均整流(Io)3A
不同 If 时的电压 - 正向(Vf1V @ 3A
速度快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io)
反向恢复时间(trr)35ns
不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流10µA @ 200V
不同 Vr,F 时的电容46pF @ 4V,1MHz
安装类型表面贴装
封装/外壳DO-214AA,SMB
供应商器件封装DO-214AA(SMB)
工作温度 - 结-55°C ~ 150°C
【藏书阁】半导体器件——OHM 大学理工系列
[b]目录[/b]第1章半导体器件的发展1·1电子器件发展历程中的“潮流与波浪”1·2从体单晶时代向多层化薄膜器件时代的发展练习题第2章半导体的电学性质2·1半导体的导电率2·2晶体中电子的有效质量2·3电子状态密度2·4载流子密度与温度及禁带宽度的依赖关系2·4·1载流子密度与温度的关系2·4·2载流子密度随禁带宽度的变化2·4·3载流子密度与费米能级位置的关系练习题第3章半导体界面的电子现象3...
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今天是默哀日。。为玉树加油,默哀。。。。...
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[i=s] 本帖最后由 gh131413 于 2014-9-15 16:52 编辑 [/i]这种病称化尸水24小时发展迅速,全身蔓延腐烂,看来大家以后小伤口也要注意了,特别是去海边或杀海鲜和鱼的时候……...
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【R7F0C809】led闪烁问题
如图想实现led闪烁的功能[code]void delay(uint16_t delaytime){uint16_t s=0;while(s
770781327 瑞萨电子MCU
晒几张常用的老伙计的内部照片,,哈哈,,
{:1_114:}干这行最核心的就是使用测试机了。先放一张我见过比较牛逼的测试机镇楼--安捷伦93k(1024 channel),开开眼,:titter:据说intel的cpu也是有用这个平台测试的。某司的费用是100$/hour:Sweat:。不过还没那么幸运能玩弄这个东西,too 贵:Sweat:(当然还有一些其他niubility的测试机比如J750、T2000、Advantest V930...
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