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MB814100D-60PJN

产品描述Fast Page DRAM, 4MX1, 60ns, CMOS, PDSO20, 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-26/20
文件大小255KB,共23页
制造商FUJITSU(富士通)
官网地址http://edevice.fujitsu.com/fmd/en/index.html
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MB814100D-60PJN概述

Fast Page DRAM, 4MX1, 60ns, CMOS, PDSO20, 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-26/20

MB814100D-60PJN规格参数

参数名称属性值
Objectid1417034870
零件包装代码SOJ
包装说明SOJ,
针数20
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
访问模式FAST PAGE
最长访问时间60 ns
其他特性RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH
JESD-30 代码R-PDSO-J20
长度17.15 mm
内存密度4194304 bit
内存集成电路类型FAST PAGE DRAM
内存宽度1
功能数量1
端口数量1
端子数量20
字数4194304 words
字数代码4000000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织4MX1
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码SOJ
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
认证状态Not Qualified
刷新周期1024
座面最大高度3.55 mm
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)4.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子形式J BEND
端子节距1.27 mm
端子位置DUAL
宽度7.62 mm

MB814100D-60PJN相似产品对比

MB814100D-60PJN MB814100D-70PJN
描述 Fast Page DRAM, 4MX1, 60ns, CMOS, PDSO20, 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-26/20 Fast Page DRAM, 4MX1, 70ns, CMOS, PDSO20, 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-26/20
零件包装代码 SOJ SOJ
包装说明 SOJ, SOJ, SOJ20/26,.34
针数 20 20
Reach Compliance Code unknown unknown
ECCN代码 EAR99 EAR99
访问模式 FAST PAGE FAST PAGE
最长访问时间 60 ns 70 ns
其他特性 RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH
JESD-30 代码 R-PDSO-J20 R-PDSO-J20
长度 17.15 mm 17.15 mm
内存密度 4194304 bit 4194304 bit
内存集成电路类型 FAST PAGE DRAM FAST PAGE DRAM
内存宽度 1 1
功能数量 1 1
端口数量 1 1
端子数量 20 20
字数 4194304 words 4194304 words
字数代码 4000000 4000000
工作模式 ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS
最高工作温度 70 °C 70 °C
组织 4MX1 4MX1
输出特性 3-STATE 3-STATE
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 SOJ SOJ
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
认证状态 Not Qualified Not Qualified
刷新周期 1024 1024
座面最大高度 3.55 mm 3.75 mm
最大供电电压 (Vsup) 5.5 V 5.5 V
最小供电电压 (Vsup) 4.5 V 4.5 V
标称供电电压 (Vsup) 5 V 5 V
表面贴装 YES YES
技术 CMOS CMOS
温度等级 COMMERCIAL OTHER
端子形式 J BEND J BEND
端子节距 1.27 mm 1.27 mm
端子位置 DUAL DUAL
宽度 7.62 mm 7.62 mm
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