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ALD111933SAL

产品描述MOSFET 2N-CH 10.6V 8SOIC
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小86KB,共10页
制造商Advanced_Linear_Devices_Inc.
标准
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ALD111933SAL概述

MOSFET 2N-CH 10.6V 8SOIC

ALD111933SAL规格参数

参数名称属性值
FET 类型2 N 沟道(双)配对
FET 功能标准
漏源电压(Vdss)10.6V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)500 欧姆 @ 5.9V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)3.35V @ 1µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)2.5pF @ 5V
功率 - 最大值500mW
工作温度0°C ~ 70°C(TJ)
安装类型表面贴装
封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商器件封装8-SOIC

ALD111933SAL相似产品对比

ALD111933SAL ALD111933PAL ALD111933MAL
描述 MOSFET 2N-CH 10.6V 8SOIC MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP MOSFET 2N-CH 10.6V 8MSOP
FET 类型 2 N 沟道(双)配对 2 N 沟道(双)配对 2 N 沟道(双)配对
FET 功能 标准 标准 标准
漏源电压(Vdss) 10.6V 10.6V 10.6V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 500 欧姆 @ 5.9V 500 欧姆 @ 5.9V 500 欧姆 @ 5.9V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3.35V @ 1µA 3.35V @ 1µA 3.35V @ 1µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2.5pF @ 5V 2.5pF @ 5V 2.5pF @ 5V
功率 - 最大值 500mW 500mW 500mW
工作温度 0°C ~ 70°C(TJ) 0°C ~ 70°C(TJ) 0°C ~ 70°C(TJ)
安装类型 表面贴装 通孔 表面贴装
封装/外壳 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 8-DIP(0.300",7.62mm) 8-TSSOP,8-MSOP(0.118",3.00mm 宽)
供应商器件封装 8-SOIC 8-PDIP 8-MSOP
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