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VS-4ESH02-M3/86A

产品描述DIODE GEN PURP 200V 4A TO277A
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小130KB,共7页
制造商Vishay(威世)
官网地址http://www.vishay.com
标准
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VS-4ESH02-M3/86A概述

DIODE GEN PURP 200V 4A TO277A

VS-4ESH02-M3/86A规格参数

参数名称属性值
二极管类型标准
电压 - DC 反向(Vr)(最大值)200V
电流 - 平均整流(Io)4A
不同 If 时的电压 - 正向(Vf930mV @ 4A
速度快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io)
反向恢复时间(trr)20ns
不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流2µA @ 200V
安装类型表面贴装
封装/外壳TO-277,3-PowerDFN
供应商器件封装TO-277A(SMPC)
工作温度 - 结-65°C ~ 175°C

 
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