MOSFET N-CH 60V 230MA SOT-323
参数名称 | 属性值 |
FET 类型 | N 沟道 |
技术 | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss) | 60V |
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) | 230mA(Ta) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 4.5V,10V |
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) | 5 欧姆 @ 230mA,10V |
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | 1.8V @ 26µA |
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) | 1.5nC @ 10V |
Vgs(最大值) | ±20V |
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) | 45pF @ 25V |
功率耗散(最大值) | 500mW(Ta) |
工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装 |
供应商器件封装 | PG-SOT323-3 |
封装/外壳 | SC-70,SOT-323 |
SN7002W E6433 | SN7002W | SN7002W L6327 | SN7002W L6433 | SN7002WH6327 | SN7002WH6433 | |
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描述 | MOSFET N-CH 60V 230MA SOT-323 | SIPMOS脪 Small-Signal-Transistor Feature N-Channel Enhancement mode | MOSFET N-CH 60V 230MA SOT-323 | MOSFET N-CH 60V 230MA SOT-323 | Small Signal Field-Effect Transistor, 0.23A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, GREEN, PLASTIC PACKAGE-3 | Small Signal Field-Effect Transistor, 0.23A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, GREEN, PLASTIC PACKAGE-3 |
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