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SIDC56D120E6X1SA1

产品描述DIODE GEN PURP 1.2KV 75A WAFER
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小63KB,共4页
制造商Infineon(英飞凌)
官网地址http://www.infineon.com/
标准
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SIDC56D120E6X1SA1概述

DIODE GEN PURP 1.2KV 75A WAFER

SIDC56D120E6X1SA1规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证符合
零件包装代码DIE
包装说明S-XUUC-N1
针数1
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
应用FAST SOFT RECOVERY
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码S-XUUC-N1
元件数量1
相数1
端子数量1
最高工作温度150 °C
最低工作温度-55 °C
最大输出电流75 A
封装主体材料UNSPECIFIED
封装形状SQUARE
封装形式UNCASED CHIP
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压1200 V
表面贴装YES
端子形式NO LEAD
端子位置UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
Base Number Matches1

SIDC56D120E6X1SA1相似产品对比

SIDC56D120E6X1SA1 SIDC56D120E6
描述 DIODE GEN PURP 1.2KV 75A WAFER 75 A, 1200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
是否无铅 含铅 含铅
是否Rohs认证 符合 符合
零件包装代码 DIE DIE
包装说明 S-XUUC-N1 S-XUUC-N1
针数 1 1
Reach Compliance Code compliant compli
ECCN代码 EAR99 EAR99
应用 FAST SOFT RECOVERY FAST SOFT RECOVERY
配置 SINGLE SINGLE
二极管元件材料 SILICON SILICON
二极管类型 RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码 S-XUUC-N1 S-XUUC-N1
元件数量 1 1
相数 1 1
端子数量 1 1
最高工作温度 150 °C 150 °C
最低工作温度 -55 °C -55 °C
最大输出电流 75 A 75 A
封装主体材料 UNSPECIFIED UNSPECIFIED
封装形状 SQUARE SQUARE
封装形式 UNCASED CHIP UNCASED CHIP
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
认证状态 Not Qualified Not Qualified
最大重复峰值反向电压 1200 V 1200 V
表面贴装 YES YES
端子形式 NO LEAD NO LEAD
端子位置 UPPER UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
Base Number Matches 1 1

 
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