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SIDC02D60F6X1SA1

产品描述DIODE GEN PURP 600V 3A WAFER
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小101KB,共4页
制造商Infineon(英飞凌)
官网地址http://www.infineon.com/
标准
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SIDC02D60F6X1SA1概述

DIODE GEN PURP 600V 3A WAFER

SIDC02D60F6X1SA1规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证符合
零件包装代码DIE
包装说明S-XUUC-N1
针数1
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
Factory Lead Time13 weeks
应用FAST SOFT RECOVERY
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码S-XUUC-N1
元件数量1
相数1
端子数量1
最高工作温度150 °C
最低工作温度-40 °C
最大输出电流3 A
封装主体材料UNSPECIFIED
封装形状SQUARE
封装形式UNCASED CHIP
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压600 V
最大反向恢复时间0.062 µs
表面贴装YES
端子形式NO LEAD
端子位置UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
Base Number Matches1

SIDC02D60F6X1SA1相似产品对比

SIDC02D60F6X1SA1 SIDC02D60F6
描述 DIODE GEN PURP 600V 3A WAFER 3 A, 600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
是否无铅 含铅 含铅
是否Rohs认证 符合 符合
零件包装代码 DIE DIE
包装说明 S-XUUC-N1 S-XUUC-N1
针数 1 1
Reach Compliance Code compliant compli
ECCN代码 EAR99 EAR99
应用 FAST SOFT RECOVERY FAST SOFT RECOVERY
配置 SINGLE SINGLE
二极管元件材料 SILICON SILICON
二极管类型 RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码 S-XUUC-N1 S-XUUC-N1
元件数量 1 1
相数 1 1
端子数量 1 1
最高工作温度 150 °C 150 °C
最低工作温度 -40 °C -40 °C
最大输出电流 3 A 3 A
封装主体材料 UNSPECIFIED UNSPECIFIED
封装形状 SQUARE SQUARE
封装形式 UNCASED CHIP UNCASED CHIP
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
认证状态 Not Qualified Not Qualified
最大重复峰值反向电压 600 V 600 V
最大反向恢复时间 0.062 µs 0.062 µs
表面贴装 YES YES
端子形式 NO LEAD NO LEAD
端子位置 UPPER UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
Base Number Matches 1 1

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