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IPU20N03L G

产品描述MOSFET N-CH 30V 30A IPAK
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小449KB,共10页
制造商Infineon(英飞凌)
官网地址http://www.infineon.com/
标准
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IPU20N03L G概述

MOSFET N-CH 30V 30A IPAK

IPU20N03L G规格参数

参数名称属性值
FET 类型N 沟道
技术MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)30V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)30A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)4.5V,10V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)20 毫欧 @ 15A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)2V @ 25µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)11nC @ 5V
Vgs(最大值)±20V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)700pF @ 25V
功率耗散(最大值)60W(Tc)
工作温度-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型通孔
供应商器件封装P-TO251-3
封装/外壳TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA

IPU20N03L G相似产品对比

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