MOSFET N-CH 25V 30A IPAK
| 参数名称 | 属性值 |
| FET 类型 | N 沟道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 25V |
| 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） | 30A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V |
| 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） | 12.8 毫欧 @ 30A，10V |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 2V @ 20µA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 8.3nC @ 5V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 1043pF @ 15V |
| 功率耗散（最大值） | 46W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 供应商器件封装 | PG-TO251-3 |
| 封装/外壳 | TO-251-3 短截引线，IPak |
| IPS13N03LA G | IPD13N03LA G | IPU13N03LA G | IPF13N03LA G | IPD13N03LAGBUMA1 | |
|---|---|---|---|---|---|
| 描述 | MOSFET N-CH 25V 30A IPAK | mosfet N-CH 25v 30a dpak | MOSFET N-CH 25V 30A TO-251 | MOSFET N-CH 25V 30A DPAK | Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 25V, 0.0128ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, TO-252, 3 PIN |
| FET 类型 | N 沟道 | - | N 沟道 | N 沟道 | - |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） | - | MOSFET（金属氧化物） | MOSFET（金属氧化物） | - |
| 漏源电压（Vdss） | 25V | - | 25V | 25V | - |
| 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） | 30A（Tc） | - | 30A（Tc） | 30A（Tc） | - |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V | - | 4.5V，10V | 4.5V，10V | - |
| 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） | 12.8 毫欧 @ 30A，10V | - | 12.8 毫欧 @ 30A，10V | 12.8 毫欧 @ 30A，10V | - |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 2V @ 20µA | - | 2V @ 20µA | 2V @ 20µA | - |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 8.3nC @ 5V | - | 8.3nC @ 5V | 8.3nC @ 5V | - |
| Vgs（最大值） | ±20V | - | ±20V | ±20V | - |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 1043pF @ 15V | - | 1043pF @ 15V | 1043pF @ 15V | - |
| 功率耗散（最大值） | 46W（Tc） | - | 46W（Tc） | 46W（Tc） | - |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） | - | -55°C ~ 175°C（TJ） | -55°C ~ 175°C（TJ） | - |
| 安装类型 | 通孔 | - | 通孔 | 表面贴装 | - |
| 供应商器件封装 | PG-TO251-3 | - | P-TO251-3 | P-TO252-3 | - |
| 封装/外壳 | TO-251-3 短截引线，IPak | - | TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 | - |
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