MOSFET N-CH 25V 50A IPAK
| 参数名称 | 属性值 |
| FET 类型 | N 沟道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 25V |
| 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） | 50A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V |
| 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） | 5.3 毫欧 @ 30A，10V |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 2V @ 50µA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 25nC @ 5V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 3110pF @ 15V |
| 功率耗散（最大值） | 94W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 供应商器件封装 | PG-TO251-3 |
| 封装/外壳 | TO-251-3 短截引线，IPak |
| IPS05N03LA G | IPD05N03LA G | IPU05N03LA G | |
|---|---|---|---|
| 描述 | MOSFET N-CH 25V 50A IPAK | mosfet N-CH 25v 50a dpak | MOSFET N-CH 25V 50A IPAK |
| FET 类型 | N 沟道 | - | N 沟道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） | - | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 25V | - | 25V |
| 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） | 50A（Tc） | - | 50A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V | - | 4.5V，10V |
| 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） | 5.3 毫欧 @ 30A，10V | - | 5.3 毫欧 @ 30A，10V |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 2V @ 50µA | - | 2V @ 50µA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 25nC @ 5V | - | 25nC @ 5V |
| Vgs（最大值） | ±20V | - | ±20V |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 3110pF @ 15V | - | 3110pF @ 15V |
| 功率耗散（最大值） | 94W（Tc） | - | 94W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） | - | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 通孔 | - | 通孔 |
| 供应商器件封装 | PG-TO251-3 | - | PG-TO251-3 |
| 封装/外壳 | TO-251-3 短截引线，IPak | - | TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA |
电源技术
模拟与混合信号
DIY/开源硬件专区
模拟电子
单片机
嵌入式系统
电子工程世界版权所有
京B2-20211791
京ICP备10001474号-1
电信业务审批[2006]字第258号函
京公网安备 11010802033920号
Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved
电子工程世界
