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IPP06CN10N G

产品描述MOSFET N-CH 100V 100A TO-220
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小768KB,共11页
制造商Infineon(英飞凌)
官网地址http://www.infineon.com/
标准
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IPP06CN10N G概述

MOSFET N-CH 100V 100A TO-220

IPP06CN10N G规格参数

参数名称属性值
FET 类型N 沟道
技术MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)100V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)100A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)10V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)6.5 毫欧 @ 100A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)4V @ 180µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)139nC @ 10V
Vgs(最大值)±20V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)9200pF @ 50V
功率耗散(最大值)214W(Tc)
工作温度-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型通孔
供应商器件封装PG-TO-220-3
封装/外壳TO-220-3

IPP06CN10N G相似产品对比

IPP06CN10N G IPI06CN10N G IPB06CN10N G IPP06CN10NGXKSA1
描述 MOSFET N-CH 100V 100A TO-220 mosfet N-CH 100v 100a to262-3 mosfet N-CH 100v 100a to263-3 MOSFET N-CH 100V 100A TO-220
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