电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索
 PDF数据手册

BUZ73AE3046XK

产品描述MOSFET N-CH 200V 5.5A TO-220
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小525KB,共14页
制造商Infineon(英飞凌)
官网地址http://www.infineon.com/
标准
下载文档 详细参数 选型对比 全文预览

BUZ73AE3046XK概述

MOSFET N-CH 200V 5.5A TO-220

BUZ73AE3046XK规格参数

参数名称属性值
FET 类型N 沟道
技术MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)200V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)5.5A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)10V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)600 毫欧 @ 4.5A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)4V @ 1mA
Vgs(最大值)±20V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)530pF @ 25V
功率耗散(最大值)40W(Tc)
工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型通孔
供应商器件封装PG-TO-220-3
封装/外壳TO-220-3

BUZ73AE3046XK相似产品对比

BUZ73AE3046XK BUZ73AH
描述 MOSFET N-CH 200V 5.5A TO-220 SIPMOS Power Transistor

技术资料推荐更多

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 国产芯 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程 索引文件: 92  500  937  968  1275 

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved