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VS-C4ZU6006FP-E3

产品描述DIODE ARRAY GP 600V 30A TO3PF
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小116KB,共5页
制造商Vishay(威世)
官网地址http://www.vishay.com
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VS-C4ZU6006FP-E3在线购买

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VS-C4ZU6006FP-E3概述

DIODE ARRAY GP 600V 30A TO3PF

VS-C4ZU6006FP-E3规格参数

参数名称属性值
二极管配置1 对共阴极
二极管类型标准
电压 - DC 反向(Vr)(最大值)600V
电流 - 平均整流(Io)(每二极管)30A
不同 If 时的电压 - 正向(Vf1.97V @ 50A
速度快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io)
反向恢复时间(trr)70ns
不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流50µA @ 600V
工作温度 - 结-55°C ~ 175°C
安装类型通孔
封装/外壳SC-94
供应商器件封装TO-3PF

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VS-C4ZU6006FP-E3
www.vishay.com
Vishay Semiconductors
Ultrafast Soft Recovery Diode,
2 x 30 A FRED Pt
®
Gen 4
FEATURES
• Gen 4 FRED Pt technology
• Low I
RRM
and reverse recovery charge
• Very low forward voltage drop
1
Anode
1
2
3
2
Common
cathode
3
Anode
• Polyimide passivated chip for high reliability
standard
• Fully isolated package (V
INS
= 2500 V
RMS
)
• 175 °C operating junction temperature
• Material categorization: for definitions of compliance
please see
www.vishay.com/doc?99912
TO-3PF
PRODUCT SUMMARY
Package
I
F(AV)
per leg
V
R
V
F
at I
F
t
rr
typ.
T
J
max.
Diode variation
TO-3PF
30 A
600 V
1.20 V
37 ns
175 °C
Common cathode
DESCRIPTION
Gen 4 Fred Pt technology, state of the art, ultralow V
F
, soft
switching optimized for Discontinuous (Critical) Mode (DCM)
and IGBT F/W diode.
The minimized conduction loss, optimized stored charge
and low recovery current minimize the switching losses and
reduce over dissipation in the switching element and
snubbers.
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
PARAMETER
Peak repetitive reverse voltage
Average rectified forward current, per leg
Non-repetitive peak surge current, per leg
Operating junction and storage temperature
SYMBOL
V
RRM
I
F(AV)
I
FSM
T
J
, T
Stg
T
C
= 75 °C
T
C
= 25 °C, t
p
= 8.3 ms half sine wave
TEST CONDITIONS
MAX.
600
30
255
-55 to +175
UNITS
V
A
°C
ELECTRICAL SPECIFICATIONS
(T
J
= 25 °C unless otherwise specified)
PARAMETER
Breakdown voltage, blocking voltage
SYMBOL
V
BR
, V
R
TEST CONDITIONS
I
R
= 100 μA
I
F
= 30 A
Forward voltage
V
F
I
F
= 50 A
I
F
= 30 A, T
J
= 150 °C
I
F
= 50 A, T
J
= 150 °C
Reverse leakage current
Junction capacitance
I
R
C
T
V
R
= V
R
rated
T
J
= 125 °C, V
R
= V
R
rated
V
R
= 600 V
MIN.
600
-
-
-
-
-
-
-
TYP.
-
1.4
1.56
1.20
1.43
-
-
19
MAX.
-
1.65
1.97
1.45
-
50
500
-
μA
pF
V
UNITS
Revision: 26-Jul-16
Document Number: 95642
1
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