IC FLASH 64M SPI 104MHZ 24TFBGA
参数名称 | 属性值 |
是否Rohs认证 | 符合 |
厂商名称 | Macronix |
零件包装代码 | BGA |
包装说明 | TBGA, BGA24,4X6,40 |
针数 | 24 |
Reach Compliance Code | unknown |
ECCN代码 | EAR99 |
Factory Lead Time | 16 weeks |
其他特性 | ALSO CONFIGURABLE AS 64M X 1, 20 YEAR DATA RETENTION |
备用内存宽度 | 2 |
最大时钟频率 (fCLK) | 104 MHz |
数据保留时间-最小值 | 20 |
耐久性 | 100000 Write/Erase Cycles |
JESD-30 代码 | R-PBGA-B24 |
长度 | 8 mm |
内存密度 | 67108864 bit |
内存集成电路类型 | FLASH |
内存宽度 | 4 |
功能数量 | 1 |
端子数量 | 24 |
字数 | 16777216 words |
字数代码 | 16000000 |
工作模式 | SYNCHRONOUS |
最高工作温度 | 85 °C |
最低工作温度 | -40 °C |
组织 | 16MX4 |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装代码 | TBGA |
封装等效代码 | BGA24,4X6,40 |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | GRID ARRAY, THIN PROFILE |
并行/串行 | SERIAL |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED |
电源 | 3/3.3 V |
编程电压 | 2.7 V |
认证状态 | Not Qualified |
座面最大高度 | 1.2 mm |
串行总线类型 | SPI |
最大待机电流 | 0.00002 A |
最大压摆率 | 0.025 mA |
最大供电电压 (Vsup) | 3.6 V |
最小供电电压 (Vsup) | 2.7 V |
标称供电电压 (Vsup) | 3.3 V |
表面贴装 | YES |
技术 | CMOS |
温度等级 | INDUSTRIAL |
端子形式 | BALL |
端子节距 | 1 mm |
端子位置 | BOTTOM |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
类型 | NOR TYPE |
宽度 | 6 mm |
写保护 | HARDWARE/SOFTWARE |
MX25L6455EXCI-10G | MX25L12855EMI-10G | MX25L12855EXCI-10G | |
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描述 | IC FLASH 64M SPI 104MHZ 24TFBGA | IC FLASH 128M SPI 104MHZ 16SOP | IC FLASH 128MBIT |
是否Rohs认证 | 符合 | 符合 | 符合 |
厂商名称 | Macronix | Macronix | Macronix |
零件包装代码 | BGA | SOIC | BGA |
包装说明 | TBGA, BGA24,4X6,40 | SOP, SOP16,.4 | TBGA, BGA24,4X6,40 |
针数 | 24 | 16 | 24 |
Reach Compliance Code | unknown | unknown | unknown |
ECCN代码 | EAR99 | 3A991.B.1.A | 3A991.B.1.A |
其他特性 | ALSO CONFIGURABLE AS 64M X 1, 20 YEAR DATA RETENTION | ALSO CONFIGURABLE AS 128M X 1, 20 YEAR DATA RETENTION | ALSO CONFIGURABLE AS 128M X 1, 20 YEAR DATA RETENTION |
备用内存宽度 | 2 | 2 | 2 |
最大时钟频率 (fCLK) | 104 MHz | 104 MHz | 104 MHz |
数据保留时间-最小值 | 20 | 20 | 20 |
耐久性 | 100000 Write/Erase Cycles | 100000 Write/Erase Cycles | 100000 Write/Erase Cycles |
JESD-30 代码 | R-PBGA-B24 | R-PDSO-G16 | R-PBGA-B24 |
长度 | 8 mm | 10.3 mm | 8 mm |
内存密度 | 67108864 bit | 134217728 bit | 134217728 bit |
内存集成电路类型 | FLASH | FLASH | FLASH |
内存宽度 | 4 | 4 | 4 |
功能数量 | 1 | 1 | 1 |
端子数量 | 24 | 16 | 24 |
字数 | 16777216 words | 33554432 words | 33554432 words |
字数代码 | 16000000 | 32000000 | 32000000 |
工作模式 | SYNCHRONOUS | SYNCHRONOUS | SYNCHRONOUS |
最高工作温度 | 85 °C | 85 °C | 85 °C |
最低工作温度 | -40 °C | -40 °C | -40 °C |
组织 | 16MX4 | 32MX4 | 32MX4 |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
封装代码 | TBGA | SOP | TBGA |
封装等效代码 | BGA24,4X6,40 | SOP16,.4 | BGA24,4X6,40 |
封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
封装形式 | GRID ARRAY, THIN PROFILE | SMALL OUTLINE | GRID ARRAY, THIN PROFILE |
并行/串行 | SERIAL | SERIAL | SERIAL |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED | 260 | NOT SPECIFIED |
电源 | 3/3.3 V | 3/3.3 V | 3/3.3 V |
编程电压 | 2.7 V | 2.7 V | 2.7 V |
认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified |
座面最大高度 | 1.2 mm | 2.65 mm | 1.2 mm |
串行总线类型 | SPI | SPI | SPI |
最大待机电流 | 0.00002 A | 0.00004 A | 0.00004 A |
最大压摆率 | 0.025 mA | 0.025 mA | 0.025 mA |
最大供电电压 (Vsup) | 3.6 V | 3.6 V | 3.6 V |
最小供电电压 (Vsup) | 2.7 V | 2.7 V | 2.7 V |
标称供电电压 (Vsup) | 3.3 V | 3.3 V | 3.3 V |
表面贴装 | YES | YES | YES |
技术 | CMOS | CMOS | CMOS |
温度等级 | INDUSTRIAL | INDUSTRIAL | INDUSTRIAL |
端子形式 | BALL | GULL WING | BALL |
端子节距 | 1 mm | 1.27 mm | 1 mm |
端子位置 | BOTTOM | DUAL | BOTTOM |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED | 40 | NOT SPECIFIED |
类型 | NOR TYPE | NOR TYPE | NOR TYPE |
宽度 | 6 mm | 7.52 mm | 6 mm |
写保护 | HARDWARE/SOFTWARE | HARDWARE/SOFTWARE | HARDWARE/SOFTWARE |
Factory Lead Time | 16 weeks | - | 16 weeks |
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