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W3E16M64S-266BI: 产品描述16Mx64 DDR SDRAM; 产品类别存储存储; 文件大小710KB，共16页; 制造商White Electronic Designs Corporation; 官网地址http://www.wedc.com/

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W3E16M64S-266BI概述

16Mx64 DDR SDRAM

W3E16M64S-266BI规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	White Electronic Designs Corporation
包装说明	BGA, BGA219,16X16,50
Reach Compliance Code	unknow
访问模式	FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间	0.75 ns
其他特性	AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)	133 MHz
I/O 类型	COMMON
JESD-30 代码	R-PBGA-B219
长度	25 mm
内存密度	1073741824 bi
内存集成电路类型	DDR DRAM
内存宽度	64
功能数量	1
端口数量	1
端子数量	219
字数	16777216 words
字数代码	16000000
工作模式	SYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C
最低工作温度	-40 °C
组织	16MX64
输出特性	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	BGA
封装等效代码	BGA219,16X16,50
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	GRID ARRAY
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
电源	2.5 V
认证状态	Not Qualified
刷新周期	8192
座面最大高度	2.65 mm
自我刷新	YES
最大待机电流	0.016 A
最大压摆率	1.6 mA
最大供电电压 (Vsup)	2.7 V
最小供电电压 (Vsup)	2.3 V
标称供电电压 (Vsup)	2.5 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	INDUSTRIAL
端子形式	BALL
端子节距	1.27 mm
端子位置	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
宽度	21 mm

W3E16M64S-266BI相似产品对比

	W3E16M64S-266BI	W3E16M64S-250BM	W3E16M64S-200BM	W3E16M64S-266BM	W3E16M64S-XBX	W3E16M64S-250BI	W3E16M64S-200BI	W3E16M64S-266BC	W3E16M64S-250BC
描述	16Mx64 DDR SDRAM	16Mx64 DDR SDRAM	16Mx64 DDR SDRAM	16Mx64 DDR SDRAM	16Mx64 DDR SDRAM	16Mx64 DDR SDRAM	16Mx64 DDR SDRAM	16Mx64 DDR SDRAM	16Mx64 DDR SDRAM
是否Rohs认证	不符合	不符合	不符合	不符合	-	不符合	不符合	不符合	不符合
厂商名称	White Electronic Designs Corporation	White Electronic Designs Corporation	White Electronic Designs Corporation	White Electronic Designs Corporation	-	White Electronic Designs Corporation	White Electronic Designs Corporation	White Electronic Designs Corporation	White Electronic Designs Corporation
包装说明	BGA, BGA219,16X16,50	21 X 25 MM, PLASTIC, BGA-219	21 X 25 MM, PLASTIC, BGA-219	21 X 25 MM, PLASTIC, BGA-219	-	BGA, BGA219,16X16,50	BGA, BGA219,16X16,50	BGA, BGA219,16X16,50	BGA, BGA219,16X16,50
Reach Compliance Code	unknow	unknow	unknow	unknow	-	unknow	unknow	unknow	unknow
访问模式	FOUR BANK PAGE BURST	FOUR BANK PAGE BURST	FOUR BANK PAGE BURST	FOUR BANK PAGE BURST	-	FOUR BANK PAGE BURST	FOUR BANK PAGE BURST	FOUR BANK PAGE BURST	FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间	0.75 ns	0.8 ns	0.8 ns	0.75 ns	-	0.8 ns	0.8 ns	0.75 ns	0.8 ns
其他特性	AUTO/SELF REFRESH	AUTO REFRESH	AUTO REFRESH	AUTO REFRESH	-	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)	133 MHz	125 MHz	100 MHz	133 MHz	-	125 MHz	100 MHz	133 MHz	125 MHz
I/O 类型	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	-	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON
JESD-30 代码	R-PBGA-B219	R-PBGA-B219	R-PBGA-B219	R-PBGA-B219	-	R-PBGA-B219	R-PBGA-B219	R-PBGA-B219	R-PBGA-B219
长度	25 mm	25 mm	25 mm	25 mm	-	25 mm	25 mm	25 mm	25 mm
内存密度	1073741824 bi	1073741824 bi	1073741824 bi	1073741824 bi	-	1073741824 bi	1073741824 bi	1073741824 bi	1073741824 bi
内存集成电路类型	DDR DRAM	DDR DRAM	DDR DRAM	DDR DRAM	-	DDR DRAM	DDR DRAM	DDR DRAM	DDR DRAM
内存宽度	64	64	64	64	-	64	64	64	64
功能数量	1	1	1	1	-	1	1	1	1
端口数量	1	1	1	1	-	1	1	1	1
端子数量	219	219	219	219	-	219	219	219	219
字数	16777216 words	16777216 words	16777216 words	16777216 words	-	16777216 words	16777216 words	16777216 words	16777216 words
字数代码	16000000	16000000	16000000	16000000	-	16000000	16000000	16000000	16000000
工作模式	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	-	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C	125 °C	125 °C	125 °C	-	85 °C	85 °C	70 °C	70 °C
最低工作温度	-40 °C	-55 °C	-55 °C	-55 °C	-	-40 °C	-40 °C	-	-
组织	16MX64	16MX64	16MX64	16MX64	-	16MX64	16MX64	16MX64	16MX64
输出特性	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	-	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	-	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	BGA	BGA	BGA	BGA	-	BGA	BGA	BGA	BGA
封装等效代码	BGA219,16X16,50	BGA219,16X16,50	BGA219,16X16,50	BGA219,16X16,50	-	BGA219,16X16,50	BGA219,16X16,50	BGA219,16X16,50	BGA219,16X16,50
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	-	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	GRID ARRAY	GRID ARRAY	GRID ARRAY	GRID ARRAY	-	GRID ARRAY	GRID ARRAY	GRID ARRAY	GRID ARRAY
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	-	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
电源	2.5 V	2.5 V	2.5 V	2.5 V	-	2.5 V	2.5 V	2.5 V	2.5 V
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	-	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
刷新周期	8192	8192	8192	8192	-	8192	8192	8192	8192
座面最大高度	2.65 mm	2.65 mm	2.65 mm	2.65 mm	-	2.65 mm	2.65 mm	2.65 mm	2.65 mm
自我刷新	YES	-	-	-	-	YES	YES	YES	YES
最大待机电流	0.016 A	0.016 A	0.016 A	0.016 A	-	0.016 A	0.016 A	0.016 A	0.016 A
最大压摆率	1.6 mA	1.6 mA	1.6 mA	1.6 mA	-	1.6 mA	1.6 mA	1.6 mA	1.6 mA
最大供电电压 (Vsup)	2.7 V	2.7 V	2.7 V	2.7 V	-	2.7 V	2.7 V	2.7 V	2.7 V
最小供电电压 (Vsup)	2.3 V	2.3 V	2.3 V	2.3 V	-	2.3 V	2.3 V	2.3 V	2.3 V
标称供电电压 (Vsup)	2.5 V	2.5 V	2.5 V	2.5 V	-	2.5 V	2.5 V	2.5 V	2.5 V
表面贴装	YES	YES	YES	YES	-	YES	YES	YES	YES
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	-	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	INDUSTRIAL	MILITARY	MILITARY	MILITARY	-	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL
端子形式	BALL	BALL	BALL	BALL	-	BALL	BALL	BALL	BALL
端子节距	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm	-	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm
端子位置	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	-	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	-	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
宽度	21 mm	21 mm	21 mm	21 mm	-	21 mm	21 mm	21 mm	21 mm

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