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RU 1B

产品描述DIODE GEN PURP 800V 250MA AXIAL
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小54KB,共2页
制造商SANKEN
官网地址http://www.sanken-ele.co.jp/en/
标准
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RU 1B概述

DIODE GEN PURP 800V 250MA AXIAL

RU 1B规格参数

参数名称属性值
二极管类型标准
电压 - DC 反向(Vr)(最大值)800V
电流 - 平均整流(Io)250mA
不同 If 时的电压 - 正向(Vf2.5V @ 250mA
速度快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io)
反向恢复时间(trr)400ns
不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流10µA @ 800V
安装类型通孔
封装/外壳轴向
工作温度 - 结-40°C ~ 150°C

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4-2 Fast Recovery Diodes
V
RM
(V)
I
F
(AV)
(A)
Package
Axial
Part
Number
RU 1B
RF 1B
RH 1B
RS 1B
RU 2B
RU 3B
RU 4B
RU 1C
RH 1C
RU 2C
RU 3C
RU 4C
RU 4D
RU 4DS
ES01F
ES 1F
RS 4FS
RC 2
I
FSM
(A)
T
j
(
°
C)
50Hz
Single Half Sine Wave
15
15
35
30
20
20
50
15
35
20
20
50
50
50
15
20
50
20
T
stg
(
°
C)
V
F
(V)
max
2.5
2.0
1.3
2.5
1.5
1.5
1.6
3.0
1.3
1.5
2.5
1.6
1.8
1.6
2.0
2.0
1.5
2.0
I
F
(A)
0.25
1.0
0.6
0.8
1.0
1.0
3.0
0.25
0.6
1.0
1.5
3.0
1.5
3.0
0.5
0.5
3.0
0.2
I
R
I
R
(H)
(
µ
A)
(
µ
A)
V
R
=V
RM
V
R
=V
RM
max
max
10
10
5.0
10
10
10
10
10
5.0
10
10
50
50
10
10
10
50
10
200
T
j
(
°
C)
trrq
(
µ
s)
I
F
/I
RP
(mA)
trrw
(
µ
s)
I
F
/I
RP
(mA)
10/20
10/20
10/20
10/20
10/20
10/20
10/20
10/20
10/20
10/20
10/20
100/200
Rth(j-l)
Rth(j-c)
(
°
C/W)
15
15
15
15
15
12
8.0
15
15
15
12
8.0
8.0
8.0
20
17
8.0
15
Mass
(g)
0.4
0.4
0.4
0.4
0.4
0.6
1.2
0.4
0.4
0.4
0.6
1.2
1.2
1.2
0.2
0.3
1.2
0.4
Values in parentheses
are for the products
with heatsinks
(Body Diameter/Lead Diameter)
0.25
0.6
0.6
800
0.7
1.0
1.1
1.5(3.0)
0.2
0.6
1000
0.8
1.5
1.5(2.5)
1300
1.5
1.5(2.5)
0.5
1500
0.5
1.5(2.5)
2000
0.2
Axial(
φ
4.0/
φ
0.78)
Axial(
φ
4.0/
φ
0.78)
Axial(
φ
4.0/
φ
0.78)
Axial(
φ
4.0/
φ
0.78)
Axial(
φ
4.0/
φ
0.78)
Axial(
φ
4.0/
φ
0.98)
Axial(
φ
6.5/
φ
1.4)
Axial(
φ
4.0/
φ
0.78)
Axial(
φ
4.0/
φ
0.78)
Axial(
φ
4.0/
φ
0.78)
Axial(
φ
4.0/
φ
0.98)
Axial(
φ
6.5/
φ
1.4)
Axial(
φ
6.5/
φ
1.4)
Axial(
φ
6.5/
φ
1.4)
Axial(
φ
2.7/
φ
0.6)
Axial(
φ
2.7/
φ
0.78)
Axial(
φ
6.5/
φ
1.4)
Axial(
φ
4.0/
φ
0.78)
-40 to +150
-40 to +150
-40 to +150
-40 to +150
-40 to +150
-40 to +150
-40 to +150
-40 to +150
-40 to +150
-40 to +150
-40 to +150
-40 to +150
-40 to +150
-40 to +150
-40 to +150
-40 to +150
-40 to +150
-40 to +150
200 100(Ta)
100
0.4
0.4
4.0
1.5
0.4
0.4
0.4
0.4
4.0
0.4
0.4
10/10 0.18
10/10 0.18
10/10
10/10
1.3
0.6
70 150(Ta)
2000
300
400
150
100
100
10/10 0.18
10/10 0.18
10/10 0.18
10/10 0.18
10/10
1.3
500 100(Ta)
250
100
70 150(Ta)
300 100(Ta)
400
500
500
500
100
100
100
100
10/10 0.18
10/10 0.18
0.4 100/100 0.18
0.4 500/500 0.18 500/1000
0.4 500/500 0.18 500/1000
1.5
1.5
10/10
10/10
0.6
0.6
0.4
1.3
10/20
10/20
100/200
10/20
200 100(Ta)
200 100(Ta)
500
300
100
100
1.0 100/100
4.0
10/10
Diodes
191

RU 1B相似产品对比

RU 1B RU 1BV RU 1BV1
描述 DIODE GEN PURP 800V 250MA AXIAL DIODE GEN PURP 800V 250MA AXIAL DIODE GEN PURP 800V 250MA AXIAL
二极管类型 标准 标准 标准
电压 - DC 反向(Vr)(最大值) 800V 800V 800V
电流 - 平均整流(Io) 250mA 250mA 250mA
不同 If 时的电压 - 正向(Vf 2.5V @ 250mA 2.5V @ 250mA 2.5V @ 250mA
速度 快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io)
反向恢复时间(trr) 400ns 400ns 400ns
不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流 10µA @ 800V 10µA @ 800V 10µA @ 800V
安装类型 通孔 通孔 通孔
封装/外壳 轴向 轴向 轴向
工作温度 - 结 -40°C ~ 150°C -40°C ~ 150°C -40°C ~ 150°C
简单ALU设计
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