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Datasheet> 器件分类 > 半导体> 分立半导体> F1T1G R0G

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F1T1G R0G: 产品描述DIODE GEN PURP 50V 1A TS-1; 产品类别半导体分立半导体; 文件大小372KB，共4页; 制造商Taiwan Semiconductor; 官网地址http://www.taiwansemi.com/; 标准

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F1T1G R0G概述

DIODE GEN PURP 50V 1A TS-1

F1T1G R0G规格参数

参数名称	属性值
二极管类型	标准
电压 - DC 反向（Vr）（最大值）	50V
电流 - 平均整流（Io）	1A
不同 If 时的电压 - 正向（Vf	1.3V @ 1A
速度	快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）
反向恢复时间（trr）	150ns
不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流	5µA @ 50V
不同 Vr，F 时的电容	15pF @ 4V，1MHz
安装类型	通孔
封装/外壳	T-18，轴向
供应商器件封装	TS-1
工作温度 - 结	-55°C ~ 150°C

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