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JANTXV1N5554US

产品描述DIODE GEN PURP 1KV 3A B-MELF
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小175KB,共5页
制造商Microsemi
官网地址https://www.microsemi.com
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JANTXV1N5554US概述

DIODE GEN PURP 1KV 3A B-MELF

JANTXV1N5554US规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称Microsemi
包装说明GLASS PACKAGE-2
针数2
Reach Compliance Codecompliant
Is SamacsysN
应用POWER
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码O-LELF-R2
JESD-609代码e0
最大非重复峰值正向电流100 A
元件数量1
相数1
端子数量2
最大输出电流3 A
封装主体材料GLASS
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
峰值回流温度(摄氏度)235
认证状态Qualified
参考标准MIL-19500/420G
表面贴装YES
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式WRAP AROUND
端子位置END
处于峰值回流温度下的最长时间20
Base Number Matches1
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