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CMPF4392 TR

产品描述JFET N-CH 40V 50MA SOT23
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小399KB,共3页
制造商Central Semiconductor
标准
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CMPF4392 TR概述

JFET N-CH 40V 50MA SOT23

CMPF4392 TR规格参数

参数名称属性值
FET 类型N 沟道
电压 - 击穿(V(BR)GSS)40V
漏源电压(Vdss)40V
不同 Vds(Vgs=0)时的电流 - 漏极(Idss)25mA @ 20V
不同 Id 时的电压 - 截止(VGS 关)2V @ 1nA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)14pF @ 20V
电阻 - RDS(开)60 Ohms
功率 - 最大值350mW
工作温度-65°C ~ 150°C(TJ)
安装类型表面贴装
封装/外壳TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商器件封装SOT-23

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CMPF4391
CMPF4392
CMPF4393
SURFACE MOUNT
N-CHANNEL
SILICON JFET
w w w. c e n t r a l s e m i . c o m
DESCRIPTION:
The CENTRAL SEMICONDUCTOR CMPF4391 series
types are N-Channel Silicon Field Effect Transistors
manufactured by the epitaxial planar process, epoxy
molded in a surface mount package, designed for
switching applications.
MARKING CODE:
CMPF4391:
6J
CMPF4392:
6K
CMPF4393:
6G
SYMBOL
VGD
VGS
VDS
IG
PD
TJ, Tstg
Θ
JA
UNITS
V
V
V
mA
mW
°C
°C/W
SOT-23 CASE
MAXIMUM RATINGS:
(TA=25°C)
Drain-Gate Voltage
Gate-Source Voltage
Drain-Source Voltage
Gate Current
Power Dissipation
Operating and Storage Junction Temperature
Thermal Resistance
40
40
40
50
350
-65 to +150
357
ELECTRICAL CHARACTERISTICS:
(TA=25°C unless otherwise noted)
CMPF4391
CMPF4392
SYMBOL
IGSS
IGSS
IDSS
ID(OFF)
ID(OFF)
ID(OFF)
ID(OFF)
ID(OFF)
ID(OFF)
BVGSS
VGS(OFF)
VGS(f)
VDS(ON)
VDS(ON)
VDS(ON)
rDS(ON)
rds(ON)
Ciss
TEST CONDITIONS
VGS=20V
VGS=20V, TA=100°C
VDS=20V
VDS=20V,
VDS=20V,
VDS=20V,
VDS=20V,
VDS=20V,
VDS=20V,
VGS=12V
VGS=7.0V
VGS=5.0V
VGS=12V, TA=100°C
VGS=7.0V, TA=100°C
VGS=5.0V, TA=100°C
MIN
-
-
50
-
-
-
-
-
-
40
4.0
-
-
-
-
-
-
-
MAX
0.1
0.2
150
0.1
-
-
0.2
-
-
-
10
1.0
0.4
-
-
30
30
14
MIN
-
-
25
-
-
-
-
-
-
40
2.0
-
-
-
-
-
-
-
MAX
0.1
0.2
75
-
0.1
-
-
0.2
-
5.0
1.0
-
0.4
-
60
60
14
CMPF4393
MIN
-
-
5.0
-
-
-
-
-
-
40
0.5
-
-
-
-
-
-
-
MAX
0.1
0.2
30
-
-
0.1
-
-
0.2
-
3.0
1.0
-
-
0.4
100
100
14
UNITS
nA
µA
mA
nA
nA
nA
µA
µA
µA
V
V
V
V
V
V
Ω
Ω
pF
IG=1.0µA
VDS=20V, ID=1.0nA
IG=1.0mA
ID=12mA
ID=6.0mA
ID=3.0mA
ID=1.0mA, VGS=0
VGS=0, ID=0, f=1.0kHz
VDS=20V, VGS=0, f=1.0MHz
R5 (27-January 2010)

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