IC PSRAM 64M PARALLEL 48TFBGA
参数名称 | 属性值 |
存储器类型 | 易失 |
存储器格式 | PSRAM |
技术 | PSRAM(伪 SRAM) |
存储容量 | 64Mb (4M x 16) |
写周期时间 - 字,页 | 55ns |
访问时间 | 55ns |
存储器接口 | 并联 |
电压 - 电源 | 2.7 V ~ 3.6 V |
工作温度 | -40°C ~ 85°C(TA) |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | 48-TFBGA |
供应商器件封装 | 48-TFBGA(6x8) |
IS66WVE4M16EBLL-55BLI-TR | IS66WVE4M16EBLL-70BLI | IS66WVE4M16EALL-70BLI | IS66WVE4M16EBLL-55BLI | IS66WVE4M16EBLL-70BLI-TR | IS66WVE4M16TBLL-70BLI | |
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描述 | IC PSRAM 64M PARALLEL 48TFBGA | USB Interface IC USB to Serial UART Enhanced IC QFN-32 | USB Connectors USB TYPE C RCPT R/A HYBRID TOP MOUNT | SRAM 64Mb Pseudo SRAM Asynch/Pg 4Mx16 55ns | SRAM 64Mb,Pseudo SRAM,Asynch/Page, 4M x 16,70ns,VDD 2.7V~3.6V, VDDQ 2.7V~3.6V,48 Ball BGA (6x8 mm), RoHS | USB Connectors USB Type C Recep R/A TOPMNT GLD Flash |
产品种类 Product Category |
- | SRAM | SRAM | SRAM | SRAM | SRAM |
制造商 Manufacturer |
- | ISSI(芯成半导体) | ISSI(芯成半导体) | ISSI(芯成半导体) | ISSI(芯成半导体) | ISSI(芯成半导体) |
RoHS | - | Details | Details | Details | Details | Details |
Moisture Sensitive | - | Yes | Yes | Yes | Yes | Yes |
工厂包装数量 Factory Pack Quantity |
- | 480 | 480 | 480 | 2500 | 480 |
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