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EPC2039ENGRT

产品描述TRANS GAN 80V 6.8A BUMPED DIE
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小1MB,共6页
制造商EPC
标准
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EPC2039ENGRT概述

TRANS GAN 80V 6.8A BUMPED DIE

EPC2039ENGRT规格参数

参数名称属性值
FET 类型N 沟道
技术GaNFET(氮化镓)
漏源电压(Vdss)80V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)6.8A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)5V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)22 毫欧 @ 6A,5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)2.5V @ 2mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)2nC @ 5V
Vgs(最大值)+6V,-4V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)210pF @ 40V
工作温度-40°C ~ 150°C(TJ)
安装类型表面贴装
供应商器件封装模具
封装/外壳模具

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