LANGUAGE
PRODUCT SPECIFICATION
JAPANESE
ENGLISH
【1. 適用範囲
SCOPE】
本仕様書は、
殿 に納入する
TFR MEMORY CARD
用コネクタ について規定する。
This specification covers the TFR MEMORY CARD CONNECTOR series
【2. ½品名称及び型番
PRODUCT NAME AND PART NUMBER】
½ 品 名 称
Product Name
ヘッダーアセンブリー
Header Assembly
エンボス梱包
Embossed Package
【3. 定格
RATINGS】
項
目
Item
最大許容電圧
Rated Voltage (MAX.)
最大許容電流
Rated Current (MAX.)
½用温度範囲
Ambient temperature Range
(Operating and Non-operating)
温度
Temperature
保管条件
Storage Condition
湿度
Humidity
½ 品 型
番
Part Number
500873-0817
500873-0816
規
Standard
100 V
格
[AC(実効値 rms)/ DC)
0.5 A
-25°C
½
+85°C *
1
-10°C½+50°C
85%R.H.以下（½し結露しないこと）
85%R.H. MAX. (No Condensation)
期間
出荷後6½月（未開封の場合）
Terms
For 6 months after shipping (unopened package)
*1：基板実装後の無通電状態は、½用温度範囲が適用されます。
Non-operating connectors after reflow must follow the operating temperature range condition.
*2：通電による温度上昇分を含む。
This includes the terminal temperature rise generated by conducting electricity.
B
SHEET
1~10
REVISE ON PC ONLY
REV.
TITLE:
B
REVIED
J2012-0813
2011/12/14 A.IDA
TFR MEMORY CARD CONN.
½品仕様書
THIS DOCUMENT CONTAINS INFORMATION THAT IS PROPRIETARY TO
MOLEX INC. AND SHOULD NOT BE USED WITHOUT WRITTEN PERMISSION
WRITTEN
BY:
T.FUJIKAWA
CHECKED
BY:
M.TOMITA
APPROVED
BY:
N.UKITA
REV.
DESCRIPTION
DESIGN CONTROL
STATUS
DATE:
YR/MO/DAY
J
DOCUMENT NUMBER
2009/10/9
FILE NAME
PS500873005
.doc
SHEET
1 OF 10
EN-37(019)
PS-500873-005
LANGUAGE
PRODUCT SPECIFICATION
JAPANESE
ENGLISH
【4. 性
½
PERFORMANCE】
4-1.
電気的性½
Electrical Performance
項
目
Item
条
件
Test Condition
規
格
Requirement
4-1-1
4-1-2
4-1-3
ダミーカード
*3
を嵌合させ、開放電圧
20mV以下、
接 触 抵 抗 短絡電流
10mA以下にて測定する。
(JIS C5402 5.4)
100 milliohms MAX.
Contact
Mate dummy card, measure by dry circuit, 20mV MAX.,
Resistance
10mA MAX.
(JIS C5402 5.4)
隣接するピン間及びピン、アース間に
絶 縁 抵 抗
DC 500V
を印加し測定する。
1000 Megohms MIN.
Insulation
(JIS C5402 5.2/MIL-STD-202
試験法
302)
Resistance
Apply 500V DC between adjacent pins or pin and ground.
(JIS C5402 5.2/MIL-STD-202 Method 302)
隣接するピン間及びピン、アース間に、
AC 500V (実効値)を1分間印加する。
耐
電
圧
異常なきこと
(JIS C5402 5.1/MIL-STD-202
試験法
301)
Dielectric
No Breakdown
Apply 500V AC for 1 minute between adjacent terminals and
Strength
ground.
(JIS C5402 5.1/MIL-STD-202 Method 301)
*3
ダミーカードとは、½社½評価用カードを示す。
The dummy card shows the card for the evaluation made of our company.
4-2.
機械的性½
Mechanical Performance
項
Item
4-2-1
端子保持力
Terminal
Retention Force
カード
挿入力及び抜去力
Card Insertion /
Withdrawal Force
目
条
件
Test Condition
毎分25±3mmの速さで各端子を軸方向に引抜く。
Apply axial pull out force at the
speed rate of 25±3 mm / minute.
毎分
25±3 mmの速さで実物カード
*4
を押す。
カードロック荷重
Push the actually card at the speed
Lock force
rate of 25±3 mm / minute.
カードロック
解除荷重
Lock release
force
実物カードを正、逆方向にて挿入し、
19.6 N {2 kgf}の荷重を加える。
外観
The actually card is inserted in positive and
Appearance
the opposite direction and the load of
19.6 N {2 kgf} is added.
規
格
Requirement
0.98 N MIN. / PIN
{0.1 kgf MIN. / PIN}
13.8 N MAX.
{1.4 kgf MAX.}
13.8 N MAX.
{1.4 kgf MAX.}
4-2-2
4-2-3
カード押込み強度
Push in strength
異常なきこと
No damage
REVISE ON PC ONLY
TITLE:
TFR MEMORY CARD CONN.
B
REV.
SEE SHEET 1 OF 10
DESCRIPTION
½品仕様書
THIS DOCUMENT CONTAINS INFORMATION THAT IS PROPRIETARY TO
MOLEX INC. AND SHOULD NOT BE USED WITHOUT WRITTEN PERMISSION
DOCUMENT NUMBER
FILE NAME
PS500873005
.doc
SHEET
2 OF 10
PS-500873-005
EN-37-1(019)
LANGUAGE
PRODUCT SPECIFICATION
JAPANESE
ENGLISH
規
格
Requirement
0.98 N MIN.
{0.1 kgf MIN.}
項
目
Item
4-2-4
カード保持力
Card
Retention Force
条
件
Test Condition
毎分25±3mmの速さで実物カードを軸方向に引抜く。
Apply axial pull out force at the
speed rate of 25±3 mm / minute.
*4
実物カードとは、TFRカードを示す。
Actual card is TFR CARD.
4-3.
そ の 他
Environmental Performance and Others
項
Item
目
条
件
Test Condition
実物カードで、1時間に400½600回の速さで、
挿入½抜去を5,000回繰り返す。
Insertion and extraction are repeated 5,000
cycles with the actually card at the speed rate of
400 - 600 cycles / hour.
規
格
Requirement
初期値からの変化量：
40 milliohms MAX.
Change from initial :
40 milliohms MAX.
ダミーカードで測定
With the dummy card
異常なきこと
No Damage
4-3-1
繰り返し挿抜
Repeated mate /
un-mate
接触抵抗
Contact
Resistance
外観
Appearance
電流を通電し、コネクタの温度上昇分を
測定する。
(UL 498)
Carrying rated current load
(UL 498)
ダミーカードを嵌合させ、DC
1mA
通電状態にて、嵌合軸を含む互いに垂直な
3方向に周波数10½55½10 Hz /
分、
全振幅1.52mmの振動を各2時間加える。
(JIS C60068-2-6 /MIL-STD-202試験法 201)
Mate dummy card and subject to the following
vibration conditions,
for a period of 2 hours in each of 3 mutually
perpendicular axes, passing DC 1 mA during
the test.
Amplitude: 1.52 mm P-P
Frequency: 10-55-10 Hz
Shall be traversed in 1 minute.
(JIS C60068-2-6 /MIL STD-202 Method 201)
4-3-2
温度上昇
Temperature
Rise
温度上昇
Temperature
Rise
30 °C MAX.
外観
Appearance
異常なきこと
No Damage
初期値からの変化量：
40 milliohms MAX.
Change from initial :
40 milliohms MAX.
4-3-3
耐 振 動 性
Vibration
接触抵抗
Contact
Resistance
瞬 断
Discontinuity
1.0 microsec. MAX.
REVISE ON PC ONLY
TITLE:
TFR MEMORY CARD CONN.
B
REV.
SEE SHEET 1 OF 10
DESCRIPTION
½品仕様書
THIS DOCUMENT CONTAINS INFORMATION THAT IS PROPRIETARY TO
MOLEX INC. AND SHOULD NOT BE USED WITHOUT WRITTEN PERMISSION
DOCUMENT NUMBER
FILE NAME
PS500873005
.doc
SHEET
3 OF 10
PS-500873-005
EN-37-1(019)
LANGUAGE
PRODUCT SPECIFICATION
JAPANESE
ENGLISH
規
格
Requirement
外観
Appearance
異常なきこと
No Damage
項
Item
目
条
件
Test Condition
ダミーカードを嵌合させ、DC
1mA
通電状態
にて、嵌合軸を含む互いに垂直な6方向に
490 m/s
2
(50G)
の衝撃を各3回加える。
(JIS C60068-2-27 / MIL-STD-202
試験法
213)
Mate dummy card and subject to the following
shock conditions. 3 shocks shall be applied
along 3 mutually perpendicular axes, passing
DC 1mA current during the test.
(Total of 18 Shocks)
Test pulse:
Half Sine
Peak value:
490m / s
2
Duration:
11 ms
(JIS C60068-2-27 / MIL-STD-202 Method 213)
4-3-4
耐 衝 撃 性
Shock
接触抵抗
Contact
Resistance
初期値からの変化量：
40 milliohms MAX.
Change from initial :
40 milliohms MAX.
瞬 断
Discontinuity
1.0 microsec. MAX.
4-3-5
耐 湿 性
(温湿度サイクル)
Moisture
resistance
外観
ダミーカードを嵌合させ、第6項に示す条件にて
Appearance
9サイクル行い、10サイクル目は段階6迄の試験
を行う。½し、段階7aは初めの9サイクルのうち
接触抵抗
任意の5サイクルについて行う。試験後、室温
Contact
に24時間放½する。(MIL-STD-202 試験法
106)
Resistance
Mate dummy card and subject to the conditions
specified on per. [6] for 9 cycles. The test
耐電圧
specimens shall be exposed to STEP 7a during
Dielectric
only 5 out of 9 cycles. A 10th cycles consisting
Strength
of only step 1 through 6 is then performed, after
which the test specimens shall be conditioned
絶縁抵抗
at ambient room conditions of 24 hours.
Insulation
(MIL-STD-202 Method 106)
Resistance
ダミーカードを嵌合させ、-55±3°Cに30分、
+85±2°Cに30分、これを1サイクルとし、
5サイクル繰り返す。½し、温度移行時間は3分
以内とする。試験後
1½2
時間室温に放½する。
(JIS C0025)
Mate dummy card and subject to the following
conditions for 5 cycles. Upon completion of the
exposure period, the test specimens shall be
conditioned at ambient room conditions for 1 to
2 hours, after which the specified
measurements shall be performed.
1 cycle
a) -55±3°C・・・30 minutes
b) +85±2°C・・・30 minutes
Transit time shall be within 3 minutes.
(JIS C0025)
TITLE:
異常なきこと
No Damage
初期値からの変化量：
40 milliohms MAX.
Change from initial :
40 milliohms MAX.
4-1-3項満足のこと
Must meet 4-1-3
100 Megohms
MIN.
外 観
Appearance
異常なきこと
No Damage
4-3-6
温度サイクル
Temperature
cycling
接触抵抗
Contact
Resistance
初期値からの変化量：
40 milliohms MAX.
Change from initial :
40 milliohms MAX.
REVISE ON PC ONLY
TFR MEMORY CARD CONN.
B
REV.
SEE SHEET 1 OF 10
DESCRIPTION
½品仕様書
THIS DOCUMENT CONTAINS INFORMATION THAT IS PROPRIETARY TO
MOLEX INC. AND SHOULD NOT BE USED WITHOUT WRITTEN PERMISSION
DOCUMENT NUMBER
FILE NAME
PS500873005
.doc
SHEET
4 OF 10
PS-500873-005
EN-37-1(019)
LANGUAGE
PRODUCT SPECIFICATION
JAPANESE
ENGLISH
規
格
Requirement
異常なきこと
No Damage
項
Item
目
条
件
Test Condition
4-3-7
耐熱性
Heat Resistance
ダミーカードを嵌合させ、85±2℃の雰囲気に96
時間放½後取り出し、1½2時間室温に放½する。
外 観
(JIS C60068-2-2 / MIL-STD-202
試験方法108)
Appearance
Mate dummy card and exposed to 85±2°C for
96 hours.
Upon completion of the exposure period, the
test specimens shall be conditions at ambient
接触抵抗
room conditions for 1 to 2 hours, after which the
Contact
specified measurements shall be performed.
Resistance
(JIS C60068-2-2 / MIL-STD-202 Method 108)
ダミーカードを嵌合させ、-40±2℃の雰囲気に
96時間放½後取り出し、1½2時間室温に放½
する。
(JIS C60068-2-1)
Mate dummy card and exposed to -40±2°C for
96 hours.
Upon completion of the exposure period, the
test specimens shall be conditions at ambient
room conditions for 1 to 2 hours, after which the
specified measurements shall be performed.
(JIS C60068-2-1)
ダミーカードを嵌合させ、40±2℃、相対湿度
75%にて50±5ppmの亜硫酸ガス中に24時間
放½する。
Mate dummy card and expose to 50±5 ppm
SO
2
gas, ambient temperature 40±2°C,
relative humidity 75% for 24 hours.
初期値からの変化量：
40 milliohms MAX.
Change from initial :
40 milliohms MAX.
外 観
Appearance
異常なきこと
No Damage
4-3-8
耐寒性
Cold Resistance
接触抵抗
Contact
Resistance
初期値からの変化量：
40 milliohms MAX.
Change from initial :
40 milliohms MAX.
異常なきこと
No Damage
初期値からの変化量：
40 milliohms MAX.
Change from initial :
40 milliohms MAX.
外 観
Appearance
4-3-9
亜硫酸ガス
SO
2
Gas
接触抵抗
Contact
Resistance
REVISE ON PC ONLY
TITLE:
TFR MEMORY CARD CONN.
B
REV.
SEE SHEET 1 OF 10
DESCRIPTION
½品仕様書
THIS DOCUMENT CONTAINS INFORMATION THAT IS PROPRIETARY TO
MOLEX INC. AND SHOULD NOT BE USED WITHOUT WRITTEN PERMISSION
DOCUMENT NUMBER
FILE NAME
PS500873005
.doc
SHEET
5 OF 10
PS-500873-005
EN-37-1(019)
京公网安备 11010802033920号
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