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FDG311N

产品描述MOSFET N-CH 20V 1.9A SC70-6
产品类别分立半导体    晶体管   
制造商ON Semiconductor(安森美)
官网地址http://www.onsemi.cn
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FDG311N概述

MOSFET N-CH 20V 1.9A SC70-6

FDG311N规格参数

参数名称属性值
Brand NameON Semiconductor
是否无铅不含铅
包装说明SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6
制造商包装代码419B-02
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
Factory Lead Time1 week
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压20 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)1.9 A
最大漏极电流 (ID)1.9 A
最大漏源导通电阻0.105 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码R-PDSO-G6
JESD-609代码e3
湿度敏感等级1
元件数量1
端子数量6
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)0.75 W
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层Tin (Sn)
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1

FDG311N相似产品对比

FDG311N
描述 MOSFET N-CH 20V 1.9A SC70-6
Brand Name ON Semiconductor
是否无铅 不含铅
包装说明 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6
制造商包装代码 419B-02
Reach Compliance Code compliant
ECCN代码 EAR99
Factory Lead Time 1 week
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压 20 V
最大漏极电流 (Abs) (ID) 1.9 A
最大漏极电流 (ID) 1.9 A
最大漏源导通电阻 0.105 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码 R-PDSO-G6
JESD-609代码 e3
湿度敏感等级 1
元件数量 1
端子数量 6
工作模式 ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 150 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED
极性/信道类型 N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs) 0.75 W
认证状态 Not Qualified
表面贴装 YES
端子面层 Tin (Sn)
端子形式 GULL WING
端子位置 DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED
晶体管应用 SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON
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求高手帮忙画个!EDA或其他的!电气图!截图发我 !谢谢啊!XIONGYAQI@126.COM
求高手帮忙画个!EDA或其他的!电气图!截图发我 !谢谢啊![email=XIONGYAQI@126.COM]XIONGYAQI@126.COM[/email]...
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