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CMXT3906 TR

产品描述TRANS 2PNP 40V 0.2A SOT26
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小624KB,共3页
制造商Central Semiconductor
标准
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CMXT3906 TR概述

TRANS 2PNP 40V 0.2A SOT26

CMXT3906 TR规格参数

参数名称属性值
晶体管类型2 PNP(双)
电流 - 集电极(Ic)(最大值)200mA
电压 - 集射极击穿(最大值)40V
不同 Ib,Ic 时的 Vce 饱和值(最大值)400mV @ 5mA,50mA
不同 Ic,Vce 时的 DC 电流增益(hFE)(最小值)100 @ 10mA,1V
功率 - 最大值350mW
频率 - 跃迁250MHz
工作温度-65°C ~ 150°C(TJ)
安装类型表面贴装
封装/外壳SOT-23-6
供应商器件封装SOT-26

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CMXT3906
SURFACE MOUNT
DUAL PNP
SILICON TRANSISTORS
w w w. c e n t r a l s e m i . c o m
DESCRIPTION:
The CENTRAL SEMICONDUCTOR CMXT3906
type is a dual PNP silicon transistor manufactured
by the epitaxial planar process, epoxy molded in a
SUPERmini™ surface mount package, and designed
for small signal general purpose amplifier and switching
applications.
MARKING CODE: X2A
SOT-26 CASE
MAXIMUM RATINGS:
(TA=25°C)
Collector-Base Voltage
Collector-Emitter Voltage
Emitter-Base Voltage
Continuous Collector Current
Power Dissipation
Operating and Storage Junction Temperature
Thermal Resistance
SYMBOL
VCBO
VCEO
VEBO
IC
PD
TJ, Tstg
Θ
JA
40
40
5.0
200
350
-65 to +150
357
UNITS
V
V
V
mA
mW
°C
°C/W
ELECTRICAL CHARACTERISTICS PER TRANSISTOR:
(TA=25°C unless otherwise noted)
SYMBOL
TEST CONDITIONS
MIN
MAX
ICEV
VCE=30V, VEB=3.0V
50
BVCBO
IC=10μA
40
BVCEO
IC=1.0mA
40
BVEBO
IE=10μA
5.0
VCE(SAT)
IC=10mA, IB=1.0mA
0.25
VCE(SAT)
VBE(SAT)
VBE(SAT)
hFE
hFE
hFE
hFE
hFE
fT
Cob
Cib
hie
IC=50mA,
IC=10mA,
IC=50mA,
IB=5.0mA
IB=1.0mA
IB=5.0mA
IC=0.1mA
IC=1.0mA
IC=10mA
0.65
60
80
100
60
30
250
4.5
10
12
0.40
0.85
0.95
UNITS
nA
V
V
V
V
V
V
V
VCE=1.0V,
VCE=1.0V,
VCE=1.0V,
300
VCE=1.0V, IC=50mA
VCE=1.0V, IC=100mA
VCE=20V, IC=10mA, f=100MHz
VCB=5.0V, IE=0, f=1.0MHz
VBE=0.5V, IC=0, f=1.0MHz
VCE=10V, IC=1.0mA, f=1.0kHz
MHz
pF
pF
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