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CMXT3904 TR

产品描述TRANS 2NPN 40V 0.2A SOT26
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小406KB,共3页
制造商Central Semiconductor
标准
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CMXT3904 TR概述

TRANS 2NPN 40V 0.2A SOT26

CMXT3904 TR规格参数

参数名称属性值
晶体管类型2 NPN(双)
电流 - 集电极(Ic)(最大值)200mA
电压 - 集射极击穿(最大值)40V
不同 Ib,Ic 时的 Vce 饱和值(最大值)300mV @ 5mA,50mA
不同 Ic,Vce 时的 DC 电流增益(hFE)(最小值)100 @ 10mA,1V
功率 - 最大值350mW
频率 - 跃迁300MHz
工作温度-65°C ~ 150°C(TJ)
安装类型表面贴装
封装/外壳SOT-23-6
供应商器件封装SOT-26

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CMXT3904
w w w. c e n t r a l s e m i . c o m
SURFACE MOUNT SILICON
DUAL NPN TRANSISTORS
DESCRIPTION:
The CENTRAL SEMICONDUCTOR CMXT3904 is a
dual NPN silicon transistor manufactured by the epitaxial
planar process, epoxy molded in a surface mount
package, and designed for small signal general
purpose amplifier and switching applications.
MARKING CODE: X1A
SOT-26 CASE
MAXIMUM RATINGS:
(TA=25°C)
Collector-Base Voltage
Collector-Emitter Voltage
Emitter-Base Voltage
Continuous Collector Current
Power Dissipation
Operating and Storage Junction Temperature
Thermal Resistance
ELECTRICAL
SYMBOL
ICEV
BVCBO
BVCEO
BVEBO
VCE(SAT)
VCE(SAT)
VBE(SAT)
VBE(SAT)
hFE
hFE
hFE
hFE
hFE
fT
Cob
Cib
hie
SYMBOL
VCBO
VCEO
VEBO
IC
PD
TJ, Tstg
Θ
JA
60
40
6.0
200
350
-65 to +150
357
UNITS
V
V
V
mA
mW
°C
°C/W
CHARACTERISTICS PER TRANSISTOR:
(TA=25°C unless otherwise noted)
TEST CONDITIONS
MIN
MAX
VCE=30V, VEB=3.0V
50
IC=10μA
60
IC=1.0mA
IE=10μA
IC=10mA, IB=1.0mA
IC=50mA, IB=5.0mA
IC=10mA,
IC=50mA,
IB=1.0mA
0.65
40
70
100
60
30
300
4.0
12
1.0
10
300
IB=5.0mA
VCE=1.0V, IC=0.1mA
VCE=1.0V, IC=1.0mA
VCE=1.0V, IC=10mA
VCE=1.0V, IC=50mA
VCE=1.0V, IC=100mA
VCE=20V, IC=10mA, f=100MHz
VCB=5.0V, IE=0, f=1.0MHz
VBE=0.5V, IC=0, f=1.0MHz
VCE=10V, IC=1.0mA, f=1.0kHz
40
6.0
0.20
0.30
0.85
0.95
UNITS
nA
V
V
V
V
V
V
V
MHz
pF
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