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CMPD2836E TR

产品描述DIODE ARRAY GP 120V 200MA SOT23
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小601KB,共3页
制造商Central Semiconductor
标准
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CMPD2836E TR概述

DIODE ARRAY GP 120V 200MA SOT23

CMPD2836E TR规格参数

参数名称属性值
二极管配置1 对共阳极
二极管类型标准
电压 - DC 反向(Vr)(最大值)120V
电流 - 平均整流(Io)(每二极管)200mA
不同 If 时的电压 - 正向(Vf1V @ 100mA
速度小信号 =< 200mA(Io),任意速度
反向恢复时间(trr)4ns
不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流100nA @ 80V
工作温度 - 结-65°C ~ 150°C
安装类型表面贴装
封装/外壳TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商器件封装SOT-23

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CMPD2836E
CMPD2838E
ENHANCED SPECIFICATION
SURFACE MOUNT
DUAL, SILICON
SWITCHING DIODES
w w w. c e n t r a l s e m i . c o m
DESCRIPTION:
The CENTRAL SEMICONDUCTOR CMPD2836E and
CMPD2838E are Enhanced versions of the CMPD2836
and CMPD2838 High Speed Switching Diodes.
These devices are manufactured by the epitaxial
planar process, in an epoxy molded surface mount
SOT-23 package, designed for high speed switching
applications.
FEATURED ENHANCED SPECIFICATIONS:
BVR from 75V min to 120V min.
SOT-23 CASE
VF from 1.2V max to 1.0V max.
The following configurations are available:
CMPD2836E
DUAL, COMMON ANODE
CMPD2838E
DUAL, COMMON CATHODE
MAXIMUM RATINGS:
(TA=25 °C)
Peak Repetitive Reverse Voltage
Average Forward Current
Peak Forward Current, tp=1.0s
Power Dissipation
Operating and Storage Junction Temperature
Thermal Resistance
MARKING CODE: CA2E
MARKING CODE: CA6E
UNITS
V
mA
mA
mW
°C
°C/W
SYMBOL
VRRM
IO
IFM
PD
TJ, Tstg
Θ
JA
120
200
300
350
-65 to +150
357
IR
BVR
VF
VF
VF
CT
trr
ELECTRICAL CHARACTERISTICS PER DIODE:
(TA=25°C unless otherwise noted)
SYMBOL TEST CONDITIONS
MIN
TYP
MAX
VR=80V
IR=100µA
IF=10mA
IF=50mA
IF=100mA
VR=0, f=1.0MHz
IR=IF=10mA, RL=100Ω, Rec. to 1.0mA
100
120
150
0.72
0.84
0.92
1.5
0.85
0.95
1.0
4.0
4.0
UNITS
nA
V
V
V
V
pF
ns
Enhanced specification
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