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Datasheet> 器件分类 > 半导体> 分立半导体> HT17G A0G
PDF数据手册

HT17G A0G

产品描述DIODE GEN PURP 800V 1A TS-1
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小354KB，共4页
制造商Taiwan Semiconductor
官网地址http://www.taiwansemi.com/
标准
下载文档 详细参数 全文预览

HT17G A0G概述

DIODE GEN PURP 800V 1A TS-1

HT17G A0G规格参数

参数名称属性值
二极管类型标准
电压 - DC 反向（Vr）（最大值）800V
电流 - 平均整流（Io）1A
不同 If 时的电压 - 正向（Vf1.7V @ 1A
速度快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）
反向恢复时间（trr）75ns
不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流5µA @ 800V
不同 Vr，F 时的电容10pF @ 4V，1MHz
安装类型通孔
封装/外壳T-18，轴向
供应商器件封装TS-1
工作温度 - 结-55°C ~ 150°C

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