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TPN2R703NL,L1Q

产品描述MOSFET N-CH 30V 45A 8-TSON
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小234KB,共9页
制造商Toshiba(东芝)
官网地址http://toshiba-semicon-storage.com/
标准
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TPN2R703NL,L1Q概述

MOSFET N-CH 30V 45A 8-TSON

TPN2R703NL,L1Q规格参数

参数名称属性值
FET 类型N 沟道
技术MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)30V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)45A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)4.5V,10V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)2.7 毫欧 @ 22.5A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)2.3V @ 300µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)21nC @ 10V
Vgs(最大值)±20V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)2100pF @ 15V
功率耗散(最大值)700mW(Ta),42W(Tc)
工作温度150°C(TJ)
安装类型表面贴装
供应商器件封装8-TSON Advance(3.3x3.3)
封装/外壳8-PowerVDFN
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[i=s] 本帖最后由 paulhyde 于 2014-9-15 08:54 编辑 [/i]...
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