F4-100R17ME4_B11
EconoDUAL™3ModulmitTrench/FeldstoppIGBT4undEmitterControlled3Diode
EconoDUAL™3modulewithTrench/FieldstopIGBT4andEmitterControlled3diode
V
CES
= 1700V
I
C nom
= 100A / I
CRM
= 200A
PotentielleAnwendungen
• Hochleistungsumrichter
• Mittelspannungsantriebe
• Windgeneratoren
ElektrischeEigenschaften
• GroßeDC-Festigkeit
• HoheKurzschlussrobustheit
• NiedrigesV
CEsat
• T
vjop
=150°C
• TrenchIGBT4
• V
CEsat
mitpositivemTemperaturkoeffizienten
MechanischeEigenschaften
•
Al
2
O
3
Substrat mit kleinem thermischen
Widerstand
• IsolierteBodenplatte
• PressFITVerbindungstechnik
PotentialApplications
• Highpowerconverters
• Mediumvoltageconverters
• Windturbines
ElectricalFeatures
• HighDCstability
• Highshort-circuitcapability
• LowV
CEsat
• T
vjop
=150°C
• TrenchIGBT4
• V
CEsat
withpositivetemperaturecoefficient
MechanicalFeatures
• Al
2
O
3
substratewithlowthermalresistance
• Isolatedbaseplate
• PressFITcontacttechnology
ModuleLabelCode
BarcodeCode128
ContentoftheCode
ModuleSerialNumber
ModuleMaterialNumber
ProductionOrderNumber
Datecode(ProductionYear)
Datecode(ProductionWeek)
Digit
1-5
6-11
12-19
20-21
22-23
DMX-Code
Datasheet
www.infineon.com
PleasereadtheImportantNoticeandWarningsattheendofthisdocument
V3.2
2017-09-18
F4-100R17ME4_B11
IGBT,Wechselrichter/IGBT,Inverter
HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues
Kollektor-Emitter-Sperrspannung
Collector-emittervoltage
Kollektor-Dauergleichstrom
ContinuousDCcollectorcurrent
PeriodischerKollektor-Spitzenstrom
Repetitivepeakcollectorcurrent
Gate-Emitter-Spitzenspannung
Gate-emitterpeakvoltage
T
vj
= 25°C
T
C
= 80°C, T
vj max
= 175°C
T
C
= 25°C, T
vj max
= 175°C
t
P
= 1 ms
V
CES
1700
100
155
200
+/-20
min.
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
V
CE sat
V
GEth
Q
G
R
Gint
C
ies
C
res
I
CES
I
GES
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
t
d on
0,19
0,21
0,21
0,04
0,05
0,05
0,42
0,57
0,61
0,10
0,16
0,18
26,0
34,0
36,5
21,5
33,5
37,5
460
5,20
typ.
1,95
2,35
2,45
5,80
1,20
7,5
9,00
0,29
3,0
300
max.
2,30
V
V
V
V
µC
Ω
nF
nF
mA
nA
µs
µs
µs
µs
µs
µs
µs
µs
µs
µs
µs
µs
mJ
mJ
mJ
mJ
mJ
mJ
A
0,236 K/W
0,100
-40
150
K/W
°C
V
A
A
I
C nom
I
C
I
CRM
V
GES
A
V
CharakteristischeWerte/CharacteristicValues
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung
Collector-emittersaturationvoltage
Gate-Schwellenspannung
Gatethresholdvoltage
Gateladung
Gatecharge
InternerGatewiderstand
Internalgateresistor
Eingangskapazität
Inputcapacitance
Rückwirkungskapazität
Reversetransfercapacitance
Kollektor-Emitter-Reststrom
Collector-emittercut-offcurrent
Gate-Emitter-Reststrom
Gate-emitterleakagecurrent
Einschaltverzögerungszeit,induktiveLast
Turn-ondelaytime,inductiveload
Anstiegszeit,induktiveLast
Risetime,inductiveload
Abschaltverzögerungszeit,induktiveLast
Turn-offdelaytime,inductiveload
Fallzeit,induktiveLast
Falltime,inductiveload
EinschaltverlustenergieproPuls
Turn-onenergylossperpulse
AbschaltverlustenergieproPuls
Turn-offenergylossperpulse
Kurzschlußverhalten
SCdata
Wärmewiderstand,ChipbisGehäuse
Thermalresistance,junctiontocase
I
C
= 100 A, V
GE
= 15 V
I
C
= 100 A, V
GE
= 15 V
I
C
= 100 A, V
GE
= 15 V
I
C
= 9,40 mA, V
CE
= V
GE
, T
vj
= 25°C
V
GE
= -15 V ... +15 V
T
vj
= 25°C
f = 1 MHz, T
vj
= 25°C, V
CE
= 25 V, V
GE
= 0 V
f = 1 MHz, T
vj
= 25°C, V
CE
= 25 V, V
GE
= 0 V
V
CE
= 1700 V, V
GE
= 0 V, T
vj
= 25°C
V
CE
= 0 V, V
GE
= 20 V, T
vj
= 25°C
I
C
= 100 A, V
CE
= 900 V
V
GE
= ±15 V
R
Gon
= 1,0
Ω
I
C
= 100 A, V
CE
= 900 V
V
GE
= ±15 V
R
Gon
= 1,0
Ω
I
C
= 100 A, V
CE
= 900 V
V
GE
= ±15 V
R
Goff
= 1,0
Ω
I
C
= 100 A, V
CE
= 900 V
V
GE
= ±15 V
R
Goff
= 1,0
Ω
6,40
t
r
t
d off
t
f
I
C
= 100 A, V
CE
= 900 V, L
S
= 20 nH
T
vj
= 25°C
V
GE
= ±15 V, di/dt = 2100 A/µs (T
vj
= 150°C) T
vj
= 125°C
R
Gon
= 1,0
Ω
T
vj
= 150°C
I
C
= 100 A, V
CE
= 900 V, L
S
= 20 nH
T
vj
= 25°C
V
GE
= ±15 V, du/dt = 2900 V/µs (T
vj
= 150°C) T
vj
= 125°C
R
Goff
= 1,0
Ω
T
vj
= 150°C
V
GE
≤
15 V, V
CC
= 15 V
V
CEmax
= V
CES
-L
sCE
·di/dt
proIGBT/perIGBT
t
P
≤
10 µs, T
vj
= 150°C
E
on
E
off
I
SC
R
thJC
R
thCH
T
vj op
Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper proIGBT/perIGBT
Thermalresistance,casetoheatsink
λ
Paste
=1W/(m·K)/λ
grease
=1W/(m·K)
TemperaturimSchaltbetrieb
Temperatureunderswitchingconditions
Datasheet
2
V3.2
2017-09-18
F4-100R17ME4_B11
Diode,Wechselrichter/Diode,Inverter
HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues
PeriodischeSpitzensperrspannung
Repetitivepeakreversevoltage
Dauergleichstrom
ContinuousDCforwardcurrent
PeriodischerSpitzenstrom
Repetitivepeakforwardcurrent
Grenzlastintegral
I²t-value
t
P
= 1 ms
V
R
= 0 V, t
P
= 10 ms, T
vj
= 125°C
V
R
= 0 V, t
P
= 10 ms, T
vj
= 150°C
T
vj
= 25°C
V
RRM
I
F
I
FRM
I²t
min.
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
V
F
1700
100
200
4500
2000
typ.
1,80
1,90
1,95
120
130
135
26,5
43,5
49,0
13,0
24,5
27,5
max.
2,20
V
V
V
A
A
A
µC
µC
µC
mJ
mJ
mJ
0,440 K/W
0,123
-40
150
K/W
°C
V
A
A
A²s
A²s
CharakteristischeWerte/CharacteristicValues
Durchlassspannung
Forwardvoltage
Rückstromspitze
Peakreverserecoverycurrent
Sperrverzögerungsladung
Recoveredcharge
AbschaltenergieproPuls
Reverserecoveryenergy
Wärmewiderstand,ChipbisGehäuse
Thermalresistance,junctiontocase
I
F
= 100 A, V
GE
= 0 V
I
F
= 100 A, V
GE
= 0 V
I
F
= 100 A, V
GE
= 0 V
I
F
= 100 A, - di
F
/dt = 2100 A/µs (T
vj
=150°C) T
vj
= 25°C
V
R
= 900 V
T
vj
= 125°C
V
GE
= -15 V
T
vj
= 150°C
I
F
= 100 A, - di
F
/dt = 2100 A/µs (T
vj
=150°C) T
vj
= 25°C
V
R
= 900 V
T
vj
= 125°C
V
GE
= -15 V
T
vj
= 150°C
I
F
= 100 A, - di
F
/dt = 2100 A/µs (T
vj
=150°C) T
vj
= 25°C
V
R
= 900 V
T
vj
= 125°C
V
GE
= -15 V
T
vj
= 150°C
proDiode/perdiode
I
RM
Q
r
E
rec
R
thJC
R
thCH
T
vj op
Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper proDiode/perdiode
Thermalresistance,casetoheatsink
λ
Paste
=1W/(m·K)/λ
grease
=1W/(m·K)
TemperaturimSchaltbetrieb
Temperatureunderswitchingconditions
Modul/Module
Isolations-Prüfspannung
Isolationtestvoltage
MaterialModulgrundplatte
Materialofmodulebaseplate
InnereIsolation
Internalisolation
Kriechstrecke
Creepagedistance
Luftstrecke
Clearance
VergleichszahlderKriechwegbildung
Comperativetrackingindex
Modulstreuinduktivität
Strayinductancemodule
Lagertemperatur
Storagetemperature
Anzugsdrehmomentf.Modulmontage
Mountingtorqueformodulmounting
Anzugsdrehmomentf.elektr.Anschlüsse
Terminalconnectiontorque
Gewicht
Weight
The labels AC and DC on the housing do not have relevance.
Die Bezeichnungen AC und DC auf dem Rahmen haben keine Bedeutung.
SchraubeM5-Montagegem.gültigerApplikationsschrift
ScrewM5-Mountingaccordingtovalidapplicationnote
SchraubeM6-Montagegem.gültigerApplikationsschrift
ScrewM6-Mountingaccordingtovalidapplicationnote
Basisisolierung(Schutzklasse1,EN61140)
basicinsulation(class1,IEC61140)
Kontakt-Kühlkörper/terminaltoheatsink
Kontakt-Kontakt/terminaltoterminal
Kontakt-Kühlkörper/terminaltoheatsink
Kontakt-Kontakt/terminaltoterminal
CTI
RMS, f = 50 Hz, t = 1 min.
V
ISOL
min.
L
sCE
T
stg
M
M
G
-40
3,00
3,0
-
345
3,4
Cu
Al
2
O
3
14,5
13,0
12,5
10,0
> 200
typ.
26
125
6,00
6,0
max.
nH
°C
Nm
Nm
g
kV
mm
mm
Datasheet
3
V3.2
2017-09-18
F4-100R17ME4_B11
AusgangskennlinieIGBT,Wechselrichter(typisch)
outputcharacteristicIGBT,Inverter(typical)
I
C
=f(V
CE
)
V
GE
=15V
200
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
AusgangskennlinienfeldIGBT,Wechselrichter(typisch)
outputcharacteristicIGBT,Inverter(typical)
I
C
=f(V
CE
)
T
vj
=150°C
200
V
GE
= 20 V
V
GE
= 15 V
V
GE
= 12 V
V
GE
= 10 V
V
GE
= 9 V
V
GE
= 8 V
175
150
150
125
I
C
[A]
I
C
[A]
0,0
0,5
1,0
1,5
2,0
V
CE
[V]
2,5
3,0
3,5
4,0
100
100
75
50
50
25
0
0
0,0
0,5
1,0
1,5
2,0
2,5 3,0
V
CE
[V]
3,5
4,0
4,5
5,0
ÜbertragungscharakteristikIGBT,Wechselrichter(typisch)
transfercharacteristicIGBT,Inverter(typical)
I
C
=f(V
GE
)
V
CE
=20V
200
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
SchaltverlusteIGBT,Wechselrichter(typisch)
switchinglossesIGBT,Inverter(typical)
E
on
=f(I
C
),E
off
=f(I
C
)
V
GE
=±15V,R
Gon
=1Ω,R
Goff
=1Ω,V
CE
=900V
100
90
80
E
on
, T
vj
= 125°C
E
on
, T
vj
= 150°C
E
off
, T
vj
= 125°C
E
off
, T
vj
= 150°C
150
70
60
100
E [mJ]
5
6
7
8
9
V
GE
[V]
10
11
12
I
C
[A]
50
40
30
50
20
10
0
0
0
25
50
75
100
I
C
[A]
125
150
175
200
Datasheet
4
V3.2
2017-09-18
F4-100R17ME4_B11
SchaltverlusteIGBT,Wechselrichter(typisch)
switchinglossesIGBT,Inverter(typical)
E
on
=f(R
G
),E
off
=f(R
G
)
V
GE
=±15V,I
C
=100A,V
CE
=900V
50
45
40
35
30
25
20
15
10
5
0
E
on
, T
vj
= 125°C
E
on
, T
vj
= 150°C
E
off
, T
vj
= 125°C
E
off
, T
vj
= 150°C
TransienterWärmewiderstandIGBT,Wechselrichter
transientthermalimpedanceIGBT,Inverter
Z
thJC
=f(t)
1
Z
thJC
: IGBT
Z
thJC
[K/W]
E [mJ]
0,1
i:
1
2
3
4
r
i
[K/W]: 0,0185 0,0196 0,1733 0,0246
τ
i
[s]:
0,0002 0,0043 0,0447 0,8215
0
1
2
3
4
5
6
R
G
[Ω]
7
8
9
10
0,01
0,001
0,01
0,1
t [s]
1
10
DurchlasskennliniederDiode,Wechselrichter(typisch)
forwardcharacteristicofDiode,Inverter(typical)
I
F
=f(V
F
)
200
180
160
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
SchaltverlusteDiode,Wechselrichter(typisch)
switchinglossesDiode,Inverter(typical)
E
rec
=f(I
F
)
R
Gon
=1Ω,V
CE
=900V
40
E
rec
, T
vj
= 125°C
E
rec
, T
vj
= 150°C
35
30
140
120
100
80
60
10
40
20
0
5
E [mJ]
0,0
0,5
1,0
1,5
V
F
[V]
2,0
2,5
3,0
I
F
[A]
25
20
15
0
0
25
50
75
100
I
F
[A]
125
150
175
200
Datasheet
5
V3.2
2017-09-18
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