MOSFET N-CH 800V 17A TO220SIS
| 参数名称 | 属性值 |
| FET 类型 | N 沟道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 800V |
| 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） | 17A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） | 290 毫欧 @ 8.5A，10V |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 4V @ 850µA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 32nC @ 10V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 2050pF @ 300V |
| 功率耗散（最大值） | 45W（Tc） |
| 工作温度 | 150°C |
| 安装类型 | 通孔 |
| 供应商器件封装 | TO-220SIS |
| 封装/外壳 | TO-220-3 整包 |
| TK17A80W,S4X | TK17A80W | |
|---|---|---|
| 描述 | MOSFET N-CH 800V 17A TO220SIS | POWER, FET |
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