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NSVBC857BTT1G

产品描述TRANS PNP 45V 0.1A SC75
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小63KB,共5页
制造商ON Semiconductor(安森美)
官网地址http://www.onsemi.cn
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NSVBC857BTT1G概述

TRANS PNP 45V 0.1A SC75

NSVBC857BTT1G规格参数

参数名称属性值
Brand NameON Semiconductor
是否无铅不含铅
制造商包装代码463-01
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
Is SamacsysN
JESD-609代码e3
湿度敏感等级1
端子面层Tin (Sn)
Base Number Matches1

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BC857BTT1G
General Purpose Transistor
PNP Silicon
These transistors are designed for general purpose amplifier
applications. They are housed in the SOT−416/SC−75 which is
designed for low power surface mount applications.
Features
http://onsemi.com
COLLECTOR
3
1
BASE
2
EMITTER
NSV Prefix for Automotive and Other Applications Requiring
Unique Site and Control Change Requirements; AEC−Q101
Qualified and PPAP Capable
This is a Pb−Free Device
MAXIMUM RATINGS
(T
A
= 25°C)
Rating
Collector−Emitter Voltage
Collector−Base Voltage
Emitter−Base Voltage
Collector Current − Continuous
Collector Current − Peak
Symbol
V
CEO
V
CBO
V
EBO
I
C
I
C
Max
−45
−50
−5.0
−100
−200
Unit
V
V
V
mAdc
mAdc
2
1
3
CASE 463
SOT−416
STYLE 1
THERMAL CHARACTERISTICS
Characteristic
Total Device Dissipation,
FR−4 Board (Note 1)
T
A
= 25°C
Derated above 25°C
Thermal Resistance,
Junction−to−Ambient (Note 1)
Total Device Dissipation,
FR−4 Board (Note 2)
T
A
= 25°C
Derated above 25°C
Thermal Resistance,
Junction−to−Ambient (Note 2)
Junction and Storage
Temperature Range
Symbol
P
D
200
1.6
R
qJA
P
D
300
2.4
R
qJA
T
J
, T
stg
400
−55 to
+150
mW
mW/°C
°C/W
°C
600
mW
3F
mW/°C
°C/W
3F = Device Code
M = Date Code
G
= Pb−Free Package
(Note: Microdot may be in either location)
*Date Code orientation may vary
depending upon manufacturing location.
G
G
M
Max
Unit
MARKING DIAGRAM
ORDERING INFORMATION
See detailed ordering and shipping information in the package
dimensions section on page 4 of this data sheet.
Stresses exceeding those listed in the Maximum Ratings table may damage the
device. If any of these limits are exceeded, device functionality should not be
assumed, damage may occur and reliability may be affected.
1. FR−4 @ min pad.
2. FR−4 @ 1.0
×
1.0 in pad.
©
Semiconductor Components Industries, LLC, 2014
1
November, 2014 − Rev. 4
Publication Order Number:
BC857BTT1/D

NSVBC857BTT1G相似产品对比

NSVBC857BTT1G BC857CTT1 BC857BTT1G
描述 TRANS PNP 45V 0.1A SC75 100 mA, 45 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR 晶体管类型:PNP 集电极电流Ic:100mA 集射极击穿电压Vce:45V 额定功率:200mW
制造商包装代码 463-01 CASE 463-01 463-01
Reach Compliance Code compliant _compli compliant
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99
JESD-609代码 e3 e0 e3
湿度敏感等级 1 1 1
端子面层 Tin (Sn) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin (Sn)
Brand Name ON Semiconductor - ON Semiconductor
是否无铅 不含铅 - 不含铅
Base Number Matches 1 - 1
零件包装代码 - SC-75 SC-75
包装说明 - CASE 463-01, SC-75, 3 PIN SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数 - 3 3
最大集电极电流 (IC) - 0.1 A 0.1 A
集电极-发射极最大电压 - 45 V 45 V
配置 - SINGLE SINGLE
最小直流电流增益 (hFE) - 420 220
JESD-30 代码 - R-PDSO-G3 R-PDSO-G3
元件数量 - 1 1
端子数量 - 3 3
最高工作温度 - 150 °C 150 °C
封装主体材料 - PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 - RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 - SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度) - 240 260
极性/信道类型 - PNP PNP
最大功率耗散 (Abs) - 0.125 W 0.3 W
认证状态 - Not Qualified Not Qualified
表面贴装 - YES YES
端子形式 - GULL WING GULL WING
端子位置 - DUAL DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 - 30 40
晶体管应用 - AMPLIFIER AMPLIFIER
晶体管元件材料 - SILICON SILICON
标称过渡频率 (fT) - 100 MHz 100 MHz
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