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FD1000R33HE3KBPSA1

产品描述IGBT MODULE VCES 1700V 1000A
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小707KB,共12页
制造商Infineon(英飞凌)
官网地址http://www.infineon.com/
标准
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FD1000R33HE3KBPSA1概述

IGBT MODULE VCES 1700V 1000A

FD1000R33HE3KBPSA1规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称Infineon(英飞凌)
包装说明FLANGE MOUNT, R-XUFM-X9
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码EAR99
Factory Lead Time18 weeks
Is SamacsysN
外壳连接ISOLATED
最大集电极电流 (IC)1000 A
集电极-发射极最大电压3300 V
配置COMMON GATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
JESD-30 代码R-XUFM-X9
元件数量2
端子数量9
封装主体材料UNSPECIFIED
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型N-CHANNEL
表面贴装NO
端子形式UNSPECIFIED
端子位置UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用POWER CONTROL
晶体管元件材料SILICON
标称断开时间 (toff)3550 ns
标称接通时间 (ton)1150 ns
Base Number Matches1

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