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WS57C49C-45DMB

产品描述MILITARY HIGH SPEED 8K x 8 CMOS PROM/RPROM
产品类别存储    存储   
文件大小13KB,共2页
制造商ST(意法半导体)
官网地址http://www.st.com/
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WS57C49C-45DMB概述

MILITARY HIGH SPEED 8K x 8 CMOS PROM/RPROM

WS57C49C-45DMB规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称ST(意法半导体)
零件包装代码DIP
包装说明WDIP, DIP24,.6
针数24
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码EAR99
最长访问时间45 ns
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码R-GDIP-T24
JESD-609代码e0
长度32.135 mm
内存密度65536 bit
内存集成电路类型UVPROM
内存宽度8
功能数量1
端子数量24
字数8192 words
字数代码8000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度125 °C
最低工作温度-55 °C
组织8KX8
输出特性3-STATE
封装主体材料CERAMIC, GLASS-SEALED
封装代码WDIP
封装等效代码DIP24,.6
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE, WINDOW
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
电源5 V
认证状态Not Qualified
筛选级别MIL-STD-883 Class B
座面最大高度5.72 mm
最大待机电流0.035 A
最大压摆率0.107 mA
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级MILITARY
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式THROUGH-HOLE
端子节距2.54 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
宽度15.24 mm
Base Number Matches1
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