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FQB19N20CTM

产品描述MOSFET N-CH 200V 19A D2PAK
产品类别分立半导体    晶体管   
制造商ON Semiconductor(安森美)
官网地址http://www.onsemi.cn
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FQB19N20CTM概述

MOSFET N-CH 200V 19A D2PAK

FQB19N20CTM规格参数

参数名称属性值
Brand NameON Semiconductor
是否无铅不含铅
厂商名称ON Semiconductor(安森美)
包装说明SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
制造商包装代码418AJ
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码EAR99
Factory Lead Time8 weeks
雪崩能效等级(Eas)433 mJ
外壳连接DRAIN
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压200 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)19 A
最大漏极电流 (ID)19 A
最大漏源导通电阻0.17 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码R-PSSO-G2
JESD-609代码e3
湿度敏感等级1
元件数量1
端子数量2
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)139 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)76 A
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层Tin (Sn)
端子形式GULL WING
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1

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