MOSFET N-CH 150V 100A TO263-3
| 参数名称 | 属性值 |
| FET 类型 | N 沟道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 150V |
| 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） | 100A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 8V，10V |
| 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） | 7.2 毫欧 @ 100A，10V |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 4V @ 270µA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 93nC @ 10V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 5470pF @ 75V |
| 功率耗散（最大值） | 300W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 供应商器件封装 | PG-TO263-3-2 |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB |
| IPB072N15N3GE8187ATMA1 | IPB072N15N3GE818XT | IPB072N15N3GATMA1 | IPP075N15N3 G | IPB072N15N3G | |
|---|---|---|---|---|---|
| 描述 | MOSFET N-CH 150V 100A TO263-3 | MOSFET N-Ch 150V 100A D2PAK-2 | Ethernet ICs 10/100 Ethernet XCVR w/HP AutoMDIXSupport | 漏源电压（Vdss）：150V 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：100A(Tc) 栅源极阈值电压：4V @ 270uA 漏源导通电阻：7.5mΩ @ 100A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：300W(Tc) 类型：N沟道 N沟道 150V 100A | 漏源电压（Vdss）：150V 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：100A(Tc) 栅源极阈值电压：4V @ 270uA 漏源导通电阻：7.2mΩ @ 100A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：300W(Tc) 类型：N沟道 |
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