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MB10M-BP

产品描述IC BRIDGE GPP SGL 0.5A 1000V MB1
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小268KB,共3页
制造商Micro_Commercial_Co
标准
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MB10M-BP概述

IC BRIDGE GPP SGL 0.5A 1000V MB1

MB10M-BP规格参数

参数名称属性值
二极管类型单相
技术标准
电压 - 峰值反向(最大值)1kV
电流 - 平均整流(Io)500mA
不同 If 时的电压 - 正向(Vf1V @ 400mA
不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流5µA @ 1000V
工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型通孔
封装/外壳4-DIP(0.200",5.08mm)
供应商器件封装MB-1

MB10M-BP相似产品对比

MB10M-BP MB05M-BP MB1M-BP MB2M-BP MB4M-BP MB6M-BP MB8M-BP
描述 IC BRIDGE GPP SGL 0.5A 1000V MB1 DIODE BRIDGE GPP 0.5A MB-1 DIODE BRIDGE GPP 0.5A MB-1 DIODE BRIDGE GPP 0.5A MB-1 DIODE BRIDGE GPP 0.5A MB-1 DIODE BRIDGE GPP 0.5A MB-1 DIODE BRIDGE GPP 0.5A MB-1
二极管类型 单相 单相 单相 单相 单相 单相 单相
技术 标准 标准 标准 标准 标准 标准 标准
电压 - 峰值反向(最大值) 1kV 50V 100V 200V 400V 600V 800V
电流 - 平均整流(Io) 500mA 500mA 500mA 500mA 500mA 500mA 500mA
不同 If 时的电压 - 正向(Vf 1V @ 400mA 1V @ 400mA 1V @ 400mA 1V @ 400mA 1V @ 400mA 1V @ 400mA 1V @ 400mA
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ) -55°C ~ 150°C(TJ) -55°C ~ 150°C(TJ) -55°C ~ 150°C(TJ) -55°C ~ 150°C(TJ) -55°C ~ 150°C(TJ) -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 通孔 通孔 通孔 通孔 通孔 通孔 通孔
封装/外壳 4-DIP(0.200",5.08mm) 4-DIP(0.200",5.08mm) 4-DIP(0.200",5.08mm) 4-DIP(0.200",5.08mm) 4-DIP(0.200",5.08mm) 4-DIP(0.200",5.08mm) 4-DIP(0.200",5.08mm)
供应商器件封装 MB-1 MB-1 MB-1 MB-1 MB-1 MB-1 MB-1
不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流 5µA @ 1000V - 5µA @ 100V 5µA @ 200V 5µA @ 400V 5µA @ 600V 5µA @ 800V

 
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