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H11B1W

产品描述OPTOISO 5.3KV DARL W/BASE 6DIP
产品类别光电子/LED   
文件大小159KB,共8页
制造商ON Semiconductor(安森美)
官网地址http://www.onsemi.cn
标准
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H11B1W概述

OPTOISO 5.3KV DARL W/BASE 6DIP

H11B1W规格参数

参数名称属性值
通道数1
电压 - 隔离5300Vrms
电流传输比(最小值)500% @ 1mA
打开 / 关闭时间(典型值)25µs,18µs
输入类型DC
输出类型有基极的达林顿晶体管
电压 - 输出(最大值)25V
电压 - 正向(Vf)(典型值)1.2V
电流 - DC 正向(If)100mA
Vce 饱和值(最大值)1V
工作温度-55°C ~ 100°C
安装类型通孔
封装/外壳6-DIP(0.400",10.16mm)
供应商器件封装6-DIP

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PHOTODARLINGTON OPTOCOUPLERS
DESCRIPTION
The CNX48U, H11BX, MOC8080 and TIL113 have a
gallium arsenide infrared emitter optically coupled to a
silicon planar photodarlington.
CNX48U
H11B1
MOC8080 TIL113
H11B2
H11B255
H11B3
FEATURES
• High sensitivity to low input drive current
• Meets or exceeds all JEDEC Registered Specifications
• VDE 0884 approval available as a test option
-add option .300. (e.g., H11B1.300)
6
1
6
1
ANODE 1
6 BASE
SCHEMATIC
APPLICATIONS
Low power logic circuits
6
Telecommunications equipment
Portable electronics
Solid state relays
Interfacing coupling systems of different potentials and impedances.
CATHODE 2
5 COLLECTOR
1
N/C 3
4 EMITTER
Parameter
TOTAL DEVICE
Storage Temperature
Operating Temperature
Lead Solder Temperature
Total Device Power Dissipation @ T
A
= 25°C
Derate above 25°C
EMITTER
Continuous Forward Current
Reverse Voltage
Forward Current - Peak (300 µs, 2% Duty Cycle)
LED Power Dissipation @ T
A
= 25°C
Derate above 25°C
DETECTOR
Symbol
T
STG
T
OPR
T
SOL
P
D
I
F
V
R
I
F
(pk)
P
D
Device
All
All
All
All
All
All
All
All
CNX48U, TIL113
H11B1, H11B2
Value
-55 to +150
-55 to +100
260 for 10 sec
250
3.3
100
6
3.0
100
1.8
30
25
55
Units
°C
°C
°C
mW
mW/°C
mA
V
A
mW
mW/°C
Collector-Emitter Breakdown Voltage
BV
CEO
H11B3
H11B255
MOC8080
CNX48U, H11B1
H11B2, H11B3
V
30
V
Collector-Base Breakdown Voltage
BV
CBO
TIL113
H11B255
MOC8080
55
7
150
2.0
V
V
mW
mW/°C
Emitter-Collector Breakdown Voltage
Detector Power Dissipation @ T
A
= 25°C
Derate above 25°C
BV
ECO
P
D
All
All
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