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NVMFS5C410NLAFT3G

产品描述MOSFET N-CH 40V 50A 330A 5DFN
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小119KB,共6页
制造商ON Semiconductor(安森美)
官网地址http://www.onsemi.cn
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NVMFS5C410NLAFT3G概述

MOSFET N-CH 40V 50A 330A 5DFN

NVMFS5C410NLAFT3G规格参数

参数名称属性值
FET 类型N 沟道
技术MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)40V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)50A(Ta), 330A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)4.5V,10V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)0.82 毫欧 @ 50A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)2V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)143nC @ 10V
Vgs(最大值)±20V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)8862pF @ 25V
功率耗散(最大值)3.8W(Ta), 167W(Tc)
工作温度-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型表面贴装
供应商器件封装5-DFN(5x6)(8-SOFL)
封装/外壳8-PowerTDFN,5 引线

NVMFS5C410NLAFT3G相似产品对比

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描述 MOSFET N-CH 40V 50A 330A 5DFN Single N−Channel Power MOSFET MOSFET N-CH 40V 50A 330A 5DFN MOSFET N-CH 40V 50A 330A 5DFN MOSFET N-CH 40V 50A 330A 5DFN

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