256M x 8 Bit / 128M x 16 Bit NAND Flash Memory
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 |
| 厂商名称 | SAMSUNG(三星) |
| 零件包装代码 | TSOP1 |
| 包装说明 | 12 X 20 MM, 0.50 MM PITCH, PLASTIC, TSOP1-48 |
| 针数 | 48 |
| Reach Compliance Code | compliant |
| ECCN代码 | 3A991.B.1.A |
| 最长访问时间 | 30 ns |
| 其他特性 | CONTAINS ADDITIONAL 64M BIT NAND FLASH |
| 命令用户界面 | YES |
| 数据轮询 | NO |
| JESD-30 代码 | R-PDSO-G48 |
| JESD-609代码 | e0 |
| 长度 | 18.4 mm |
| 内存密度 | 2147483648 bit |
| 内存集成电路类型 | FLASH |
| 内存宽度 | 16 |
| 功能数量 | 1 |
| 部门数/规模 | 2K |
| 端子数量 | 48 |
| 字数 | 134217728 words |
| 字数代码 | 128000000 |
| 工作模式 | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 70 °C |
| 最低工作温度 | |
| 组织 | 128MX16 |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | TSOP1 |
| 封装等效代码 | TSSOP48,.8,20 |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE |
| 页面大小 | 1K words |
| 并行/串行 | PARALLEL |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED |
| 电源 | 1.8 V |
| 编程电压 | 1.8 V |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 就绪/忙碌 | YES |
| 座面最大高度 | 1.2 mm |
| 部门规模 | 64K |
| 最大待机电流 | 0.0001 A |
| 最大压摆率 | 0.02 mA |
| 最大供电电压 (Vsup) | 1.95 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 1.65 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 1.8 V |
| 表面贴装 | YES |
| 技术 | CMOS |
| 温度等级 | COMMERCIAL |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式 | GULL WING |
| 端子节距 | 0.5 mm |
| 端子位置 | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
| 切换位 | NO |
| 类型 | SLC NAND TYPE |
| 宽度 | 12 mm |
| Base Number Matches | 1 |
| K9K2G16Q0M-YCB0 | K9K2G16Q0M-PCB0 | K9K2G16Q0M-PIB0 | K9K2G16Q0M-YIB0 | |
|---|---|---|---|---|
| 描述 | 256M x 8 Bit / 128M x 16 Bit NAND Flash Memory | 256M x 8 Bit / 128M x 16 Bit NAND Flash Memory | 256M x 8 Bit / 128M x 16 Bit NAND Flash Memory | 256M x 8 Bit / 128M x 16 Bit NAND Flash Memory |
| 是否Rohs认证 | 不符合 | - | 符合 | 不符合 |
| 厂商名称 | SAMSUNG(三星) | - | SAMSUNG(三星) | SAMSUNG(三星) |
| 包装说明 | 12 X 20 MM, 0.50 MM PITCH, PLASTIC, TSOP1-48 | - | TSSOP, TSSOP48,.8,20 | 12 X 20 MM, 0.50 MM PITCH, PLASTIC, TSOP1-48 |
| Reach Compliance Code | compliant | - | compli | compli |
| 最长访问时间 | 30 ns | - | 60 ns | 30 ns |
| 命令用户界面 | YES | - | YES | YES |
| 数据轮询 | NO | - | NO | NO |
| JESD-30 代码 | R-PDSO-G48 | - | R-PDSO-G48 | R-PDSO-G48 |
| 内存密度 | 2147483648 bit | - | 2147483648 bi | 2147483648 bi |
| 内存集成电路类型 | FLASH | - | FLASH | FLASH |
| 内存宽度 | 16 | - | 16 | 16 |
| 部门数/规模 | 2K | - | 2K | 2K |
| 端子数量 | 48 | - | 48 | 48 |
| 字数 | 134217728 words | - | 134217728 words | 134217728 words |
| 字数代码 | 128000000 | - | 128000000 | 128000000 |
| 最高工作温度 | 70 °C | - | 85 °C | 85 °C |
| 组织 | 128MX16 | - | 128MX16 | 128MX16 |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | - | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | TSOP1 | - | TSSOP | TSOP1 |
| 封装等效代码 | TSSOP48,.8,20 | - | TSSOP48,.8,20 | TSSOP48,.8,20 |
| 封装形状 | RECTANGULAR | - | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE | - | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE |
| 页面大小 | 1K words | - | 1K words | 1K words |
| 并行/串行 | PARALLEL | - | PARALLEL | PARALLEL |
| 电源 | 1.8 V | - | 1.8 V | 1.8 V |
| 认证状态 | Not Qualified | - | Not Qualified | Not Qualified |
| 就绪/忙碌 | YES | - | YES | YES |
| 部门规模 | 64K | - | 64K | 64K |
| 最大待机电流 | 0.0001 A | - | 0.0001 A | 0.0001 A |
| 最大压摆率 | 0.02 mA | - | 0.02 mA | 0.02 mA |
| 标称供电电压 (Vsup) | 1.8 V | - | 1.8 V | 1.8 V |
| 表面贴装 | YES | - | YES | YES |
| 技术 | CMOS | - | CMOS | CMOS |
| 温度等级 | COMMERCIAL | - | INDUSTRIAL | INDUSTRIAL |
| 端子形式 | GULL WING | - | GULL WING | GULL WING |
| 端子节距 | 0.5 mm | - | 0.5 mm | 0.5 mm |
| 端子位置 | DUAL | - | DUAL | DUAL |
| 切换位 | NO | - | NO | NO |
电子工程世界版权所有
京B2-20211791
京ICP备10001474号-1
电信业务审批[2006]字第258号函
京公网安备 11010802033920号
Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved
电子工程世界
