MOSFET N-CH 20V 15.2A UDFN2020-6
| 参数名称 | 属性值 |
| FET 类型 | N 沟道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 20V |
| 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） | 15.2A (Ta) |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 1.5V，4.5V |
| 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） | 9 毫欧 @ 8.5A, 4.5V |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 1.2V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 42.3nC @ 10V |
| Vgs（最大值） | ±12V |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 1439pF @ 10V |
| 功率耗散（最大值） | 1.8W（Ta） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 供应商器件封装 | U-DFN2020-6 |
| 封装/外壳 | 6-UDFN 裸露焊盘 |
| DMN2015UFDF-13 | DMN2015UFDF-7 | |
|---|---|---|
| 描述 | MOSFET N-CH 20V 15.2A UDFN2020-6 | MOSFET N-CH 20V 15.2A UDFN2020-6 |
| FET 类型 | N 沟道 | N 沟道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 20V | 20V |
| 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） | 15.2A (Ta) | 15.2A (Ta) |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 1.5V，4.5V | 1.5V，4.5V |
| 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） | 9 毫欧 @ 8.5A, 4.5V | 9 毫欧 @ 8.5A, 4.5V |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 1.2V @ 250µA | 1.2V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 42.3nC @ 10V | 42.3nC @ 10V |
| Vgs（最大值） | ±12V | ±12V |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 1439pF @ 10V | 1439pF @ 10V |
| 功率耗散（最大值） | 1.8W（Ta） | 1.8W（Ta） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装 | 表面贴装 |
| 供应商器件封装 | U-DFN2020-6 | U-DFN2020-6 |
| 封装/外壳 | 6-UDFN 裸露焊盘 | 6-UDFN 裸露焊盘 |
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